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微電子技術(shù)雜志

微電子技術(shù)雜志統(tǒng)計源期刊

Microelectronic Technology

同學(xué)科期刊級別分類 CSSCI南大期刊 北大期刊 CSCD期刊 統(tǒng)計源期刊 部級期刊 省級期刊

  • 雙月刊 出版周期
  • 32-1479/TN CN
  • 1008-0147 ISSN
主管單位:信息產(chǎn)業(yè)部
主辦單位:中國華晶電子集團(tuán)公司
創(chuàng)刊時間:1972
開本:A4
出版地:江蘇
語種:中文
審稿周期:1-3個月
類別:電子
被引次數(shù):
數(shù)據(jù)庫收錄:

知網(wǎng)收錄(中)、維普收錄(中)、萬方收錄(中)、國家圖書館館藏、上海圖書館館藏

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微電子技術(shù)雜志簡介

《微電子技術(shù)》雜志是國家科技部、國家新聞出版局批準(zhǔn)的國家正式出版物,國內(nèi)外公開發(fā)行。它是由信息產(chǎn)業(yè)部主管,中國華晶電子集團(tuán)公司主辦的科學(xué)技術(shù)刊物。本刊以從事半導(dǎo)體和做電子研究與生產(chǎn)的在職職員、科研學(xué)者、大中專院校師生以及電子行業(yè)的各級管理人員和計算機(jī)、通信、電子系統(tǒng)應(yīng)用單位的技術(shù)人員為主要對象,是一種集學(xué)術(shù)性、技術(shù)性、應(yīng)用性、信息性于一體的科技刊物。

微電子技術(shù)雜志欄目設(shè)置

《微電子技術(shù)》雜志專家論壇、綜述、設(shè)計與制造、通信與計算機(jī)、材料與設(shè)備、材料與設(shè)備、封裝與可靠性。

微電子技術(shù)雜志榮譽(yù)信息

微電子技術(shù)雜志訂閱方式

地址:無錫市105信箱,郵編:214061。

微電子技術(shù)雜志社投稿須知

1.來稿要求論點(diǎn)明確、數(shù)據(jù)可靠、邏輯嚴(yán)密、文字精煉,每篇論文必須包括題目、作者姓名、作者單位、單位所在地及郵政編碼、摘要和關(guān)鍵詞、正文、參考文獻(xiàn)和第一作者及通訊作者(一般為導(dǎo)師)簡介(包括姓名、性別、職稱、出生年月、所獲學(xué)位、目前主要從事的工作和研究方向),在文稿的首頁地腳處注明論文屬何項(xiàng)目、何基金(編號)資助,沒有的不注明。

2.論文摘要盡量寫成報道性文摘,包括目的、方法、結(jié)果、結(jié)論4方面內(nèi)容(100字左右),應(yīng)具有獨(dú)立性與自含性,關(guān)鍵詞選擇貼近文義的規(guī)范性單詞或組合詞(3~5個)。

3.文稿篇幅(含圖表)一般不超過5000字,一個版面2500字內(nèi)。文中量和單位的使用請參照中華人民共和國法定計量單位最新標(biāo)準(zhǔn)。外文字符必須分清大、小寫,正、斜體,黑、白體,上下角標(biāo)應(yīng)區(qū)別明顯。

4.文中的圖、表應(yīng)有自明性。圖片不超過2幅,圖像要清晰,層次要分明。

5.參考文獻(xiàn)的著錄格式采用順序編碼制,請按文中出現(xiàn)的先后順序編號。所引文獻(xiàn)必須是作者直接閱讀參考過的、最主要的、公開出版文獻(xiàn)。未公開發(fā)表的、且很有必要引用的,請采用腳注方式標(biāo)明,參考文獻(xiàn)不少于3條。

6.來稿勿一稿多投。收到稿件之后,5個工作日內(nèi)審稿,電子郵件回復(fù)作者。重點(diǎn)稿件將送同行專家審閱。如果10日內(nèi)沒有收到擬用稿通知(特別需要者可寄送紙質(zhì)錄用通知),則請與本部聯(lián)系確認(rèn)。

7.來稿文責(zé)自負(fù)。所有作者應(yīng)對稿件內(nèi)容和署名無異議,稿件內(nèi)容不得抄襲或重復(fù)發(fā)表。對來稿有權(quán)作技術(shù)性和文字性修改,雜志一個版面2500字,二個版面5000字左右。作者需要安排版面數(shù),出刊日期,是否加急等情況,請在郵件投稿時作特別說明。

8.請作者自留備份稿,本部不退稿。

9.論文一經(jīng)發(fā)表,贈送當(dāng)期樣刊1-2冊,需快遞的聯(lián)系本部。

10.請在文稿后面注明稿件聯(lián)系人的姓名、工作單位、詳細(xì)聯(lián)系地址、電話(包括手機(jī))、郵編等信息,以便聯(lián)系有關(guān)事宜。

微電子技術(shù)雜志范例

在同一機(jī)器上進(jìn)行鐵鎳和銅材引線框的Sn/Pb電鍍

一種最新的等離子體腐蝕技術(shù)──TM-ECR

拉晶條件對單晶中氧含量及其分布的影響

亞微米CMOS工藝設(shè)計中的幾點(diǎn)考慮

AT&T開發(fā)的0.35μm工藝器件內(nèi)部多層布線技術(shù)

在任意層間可開出直徑約150μm通孔的樹脂多層印刷布線基板

間距為0.5μm的銅布線工藝技術(shù)

一種新型智能COD儀的研制

CCS集成環(huán)境下C與匯編的混合編程實(shí)現(xiàn)

CMOS集成電路靜電泄漏實(shí)驗(yàn)分析

數(shù)?;旌想娐返墓に囬_發(fā)

G.723.1雙速率語音編解碼算法在TMS320VC5402上的實(shí)現(xiàn)

涂膠設(shè)備背面沖洗功能的開發(fā)與研制

高速小型異物監(jiān)控器

軍用電子設(shè)備研制中元器件的質(zhì)量與可靠性管理

單片機(jī)抗干擾技術(shù)在激光打標(biāo)控制系統(tǒng)中的應(yīng)用

3610電路測試技術(shù)研究

微電子技術(shù)雜志發(fā)文分析

主要資助課題分析

資助課題 涉及文獻(xiàn)
陜西省教育廳科研計劃項(xiàng)目(00JK128) 2
國家重點(diǎn)基礎(chǔ)研究發(fā)展計劃(G2001CB3095) 1
國家自然科學(xué)基金(59977016) 1

主要資助項(xiàng)目分析

資助項(xiàng)目 涉及文獻(xiàn)
國家自然科學(xué)基金 12
江蘇省青年科技基金 3
陜西省教育廳科研計劃項(xiàng)目 2
國防科技技術(shù)預(yù)先研究基金 2
國防科技重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室基金 2
國家高技術(shù)研究發(fā)展計劃 2
國家重點(diǎn)基礎(chǔ)研究發(fā)展計劃 2
浙江大學(xué)??蒲泻徒谈捻?xiàng)目 1
安徽省高校省級自然科學(xué)研究項(xiàng)目 1
江蘇省自然科學(xué)基金 1
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