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Journal Of Semiconductor Technology And Science

半導(dǎo)體技術(shù)與科學(xué)雜志
國(guó)際簡(jiǎn)稱:J SEMICOND TECH SCI

Journal Of Semiconductor Technology And Science

SCIE

按雜志級(jí)別劃分: 中科院1區(qū) 中科院2區(qū) 中科院3區(qū) 中科院4區(qū)

  • 4區(qū) 中科院分區(qū)
  • Q4 JCR分區(qū)
  • 37 年發(fā)文量
  • 97.30% 研究類文章占比
  • 0.00% Gold OA文章占比
ISSN:1598-1657
創(chuàng)刊時(shí)間:2001
是否預(yù)警:否
E-ISSN:2233-4866
出版地區(qū):SOUTH KOREA
是否OA:未開放
出版語言:English
出版周期:6 issues/year
影響因子:0.5
出版商:Institute of Electronics Engineers of Korea
審稿周期: 較慢,6-12周
CiteScore:0.9
H-index:15
出版國(guó)人文章占比:0.05

Journal Of Semiconductor Technology And Science雜志簡(jiǎn)介

Journal Of Semiconductor Technology And Science是由Institute of Electronics Engineers of Korea出版商主辦的工程技術(shù)領(lǐng)域的專業(yè)學(xué)術(shù)期刊,自2001年創(chuàng)刊以來,一直以高質(zhì)量的內(nèi)容贏得業(yè)界的尊重。該期刊擁有正式的刊號(hào)(ISSN:1598-1657,E-ISSN:2233-4866),出版周期6 issues/year,其出版地區(qū)設(shè)在SOUTH KOREA。該期刊的核心使命旨在推動(dòng)工程技術(shù)專業(yè)及ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC學(xué)科界的教育研究與實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)的交流,發(fā)表同行有創(chuàng)見的學(xué)術(shù)論文,提倡學(xué)術(shù)爭(zhēng)鳴,激發(fā)學(xué)術(shù)創(chuàng)新,開展國(guó)際間學(xué)術(shù)交流,為工程技術(shù)領(lǐng)域的發(fā)展注入活力。

該期刊文章自引率0,開源內(nèi)容占比0,出版撤稿占比0,OA被引用占比0,讀者群體主要包括工程技術(shù)的專業(yè)人員,研究生、本科生以及工程技術(shù)領(lǐng)域愛好者,這些讀者群體來自全球各地,具有廣泛的學(xué)術(shù)背景和興趣。Journal Of Semiconductor Technology And Science已被國(guó)際權(quán)威學(xué)術(shù)數(shù)據(jù)庫(kù)“ SCIE(Science Citation Index Expanded) ”收錄,方便全球范圍內(nèi)的學(xué)者和研究人員檢索和引用,有助于推動(dòng)ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC領(lǐng)域的研究進(jìn)展和創(chuàng)新發(fā)展。

CiteScore(2024年最新版)

  • CiteScore:0.9
  • SJR:0.181
  • SNIP:0.216
學(xué)科類別 分區(qū) 排名 百分位
大類:Engineering 小類:Electrical and Electronic Engineering Q4 654 / 797

18%

大類:Engineering 小類:Electronic, Optical and Magnetic Materials Q4 248 / 284

12%

CiteScore: 這一創(chuàng)新指標(biāo)力求提供更為全面且精確的期刊評(píng)估,打破了過去僅依賴單一指標(biāo)如影響因子的局限。它通過綜合廣泛的引用數(shù)據(jù),跨越多個(gè)學(xué)科領(lǐng)域,從而確保了更高的透明度和開放性。作為Scopus中一系列期刊指標(biāo)的重要組成部分,包括SNIP(源文檔標(biāo)準(zhǔn)化影響)、SJR(SCImago雜志排名)、引用文檔計(jì)數(shù)以及引用百分比。Scopus整合以上指標(biāo),幫助研究者深入了解超過22,220種論著的引用情況。您可在Scopus Joumal Metrics website了解各個(gè)指標(biāo)的詳細(xì)信息。

CiteScore分區(qū)值與影響因子值數(shù)據(jù)對(duì)比

Journal Of Semiconductor Technology And Science中科院分區(qū)表

中科院分區(qū) 2023年12月升級(jí)版
大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 4區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 4區(qū) 4區(qū)
中科院分區(qū) 2022年12月升級(jí)版
大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 4區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 4區(qū) 4區(qū)
中科院分區(qū) 2021年12月舊的升級(jí)版
大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 4區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 4區(qū) 4區(qū)
中科院分區(qū) 2021年12月基礎(chǔ)版
大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 4區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 4區(qū) 4區(qū)
中科院分區(qū) 2021年12月升級(jí)版
大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 4區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 4區(qū) 4區(qū)
中科院分區(qū) 2020年12月舊的升級(jí)版
大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 4區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 4區(qū) 4區(qū)
中科院分區(qū)表歷年分布趨勢(shì)圖

WOS期刊JCR分區(qū)(2023-2024年最新版)

按JIF指標(biāo)學(xué)科分區(qū) 收錄子集 分區(qū) 排名 百分位
學(xué)科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q4 329 / 352

6.7%

學(xué)科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q4 175 / 179

2.5%

按JCI指標(biāo)學(xué)科分區(qū) 收錄子集 分區(qū) 排名 百分位
學(xué)科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q4 342 / 354

3.53%

學(xué)科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q4 176 / 179

1.96%

JCR(Journal Citation Reports)分區(qū),也被稱為JCR期刊分區(qū),是由湯森路透公司(現(xiàn)在屬于科睿唯安公司)制定的一種國(guó)際通用和公認(rèn)的期刊分區(qū)標(biāo)準(zhǔn)。JCR分區(qū)基于SCI數(shù)據(jù)庫(kù),按照期刊的影響因子進(jìn)行排序,按照類似等分的方式將期刊劃分為四個(gè)區(qū):Q1、Q2、Q3和Q4。需要注意的是,JCR分區(qū)的標(biāo)準(zhǔn)與中科院JCR期刊分區(qū)(又稱分區(qū)表、分區(qū)數(shù)據(jù))存在不同之處。例如,兩者的分區(qū)數(shù)量不同,JCR分為四個(gè)區(qū),而中科院分區(qū)則分為176個(gè)學(xué)科,每個(gè)學(xué)科又按照影響因子高低分為四個(gè)區(qū)。此外,兩者的影響因子取值范圍也存在差異。

歷年發(fā)文數(shù)據(jù)

年份 年發(fā)文量
2014 85
2015 84
2016 107
2017 114
2018 95
2019 78
2020 70
2021 10
2022 51
2023 37

期刊互引關(guān)系

被他刊引用情況
期刊名稱 引用次數(shù)
J SEMICOND TECH SCI 26
J NANOSCI NANOTECHNO 24
MICROMACHINES-BASEL 17
IEEE ACCESS 13
ELECTRONICS-SWITZ 8
IEEE ELECTR DEVICE L 8
MATER RES EXPRESS 7
IEEE J ELECTRON DEVI 6
IEEE T ELECTRON DEV 6
JPN J APPL PHYS 6
引用他刊情況
期刊名稱 引用次數(shù)
IEEE J SOLID-ST CIRC 114
IEEE T ELECTRON DEV 63
IEEE ELECTR DEVICE L 45
IEEE T CIRCUITS-I 45
APPL PHYS LETT 43
PHYS REV B 33
J APPL PHYS 30
IEEE T CIRCUITS-II 29
J SEMICOND TECH SCI 26
IEEE T VLSI SYST 16
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