半導(dǎo)體工藝基礎(chǔ)知識(shí)精選(九篇)
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第1篇：半導(dǎo)體工藝基礎(chǔ)知識(shí)范文
關(guān)鍵詞：光伏技術(shù)；教學(xué)探討；能力提高
Studying on the teaching of “photovoltaic technology”curriculum
Xie Qiyun（College of Electronic Science and Engineering，
Nanjing University of Posts & Telecommunications，Nanjing 210046，P.R.China）
Abstract：The teaching of“Photovoltaic technology”is very important to train the students to have good skills of advanced photovoltaic technology. Combing the characteristic of this course and high demand of talented students， the purpose of teaching should be definitely defined and the contents should be selected according to physical truth of the specialty. Moreover， in order to culture the students with creative capability， the teachers should train the student to have a body of systematized knowledge，pay more attention to group discussion and experimental teaching，encourage the students to participate in discovering experiments and improve the assessment mode.
Key words：photovoltaic technology；teaching discussion；creative capability training
1 引言
在傳統(tǒng)能源逐步枯竭、環(huán)境問(wèn)題逐年加劇之際，可再生能源特別是太陽(yáng)能的利用為人類(lèi)提供了解決危機(jī)的途徑。我國(guó)政府已將太陽(yáng)能光伏產(chǎn)業(yè)定位為國(guó)家七大新型戰(zhàn)略產(chǎn)業(yè)之一。太陽(yáng)能電池[1，2]是光伏發(fā)電系統(tǒng)的核心，它以半導(dǎo)體為媒介，實(shí)現(xiàn)光能與電能的直接轉(zhuǎn)換。然而，在太陽(yáng)能電池產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展的同時(shí)，國(guó)內(nèi)專(zhuān)業(yè)人才的數(shù)量可謂捉襟見(jiàn)肘，因此人才的培養(yǎng)已成為當(dāng)務(wù)之急。目前，《光伏技術(shù)》已經(jīng)成為新能源、光電信息，光電子材料與器件等高等教育專(zhuān)業(yè)的必修或選修課程。
2 對(duì)光伏技術(shù)課程的探討
2.1 光伏技術(shù)課程的教學(xué)目的
通過(guò)本課程的學(xué)習(xí)，讓學(xué)生了解太陽(yáng)能電池的發(fā)展歷史，掌握太陽(yáng)能電池制備的原理、現(xiàn)行太陽(yáng)能電池的制造工藝、未來(lái)高效率低成本太陽(yáng)能電池設(shè)計(jì)的思路以及光伏系統(tǒng)應(yīng)用上的重要設(shè)計(jì)考慮等。使學(xué)生對(duì)光伏技術(shù)有較全面、系統(tǒng)的認(rèn)識(shí)，為今后從事光伏相關(guān)的研發(fā)工作打下重要的基礎(chǔ)。
2.2 光伏技術(shù)課程的基本內(nèi)容
太陽(yáng)能電池的本質(zhì)是半導(dǎo)體二極管，因此本課程與《固體物理》，《半導(dǎo)體物理》等課程具有密切的聯(lián)系，在課程內(nèi)容上需要和《固體物理》，《半導(dǎo)體物理》等課程知識(shí)進(jìn)行銜接。此外，各高校的專(zhuān)業(yè)類(lèi)型或是課時(shí)安排存在一定差異，從而課程內(nèi)容設(shè)置上可能存在一定差異。比如對(duì)于研究型的專(zhuān)業(yè)來(lái)說(shuō)，教學(xué)上需要在材料的基本性能、制備原理與性能改進(jìn)方面有所側(cè)重，而應(yīng)用型的專(zhuān)業(yè)則需要讓學(xué)生對(duì)電池工藝改進(jìn)和光伏系統(tǒng)的應(yīng)用有深入的了解。但不管怎樣，要達(dá)到本課程的教學(xué)目的，以下幾方面的內(nèi)容在教學(xué)過(guò)程中需要涉及[3，4]：
2.2.1 太陽(yáng)能電池和太陽(yáng)光
介紹太陽(yáng)能電池的發(fā)展概況，太陽(yáng)能電池的結(jié)構(gòu)，太陽(yáng)能常數(shù)的計(jì)算方法和估測(cè)大氣光學(xué)質(zhì)量的方法。
2.2.2 半導(dǎo)體的特性
介紹半導(dǎo)體的晶體結(jié)構(gòu)和電子能帶結(jié)構(gòu)，載流子傳輸中所涉及到的漂移和擴(kuò)散過(guò)程，半導(dǎo)體的光吸收和復(fù)合過(guò)程。
2.2.3 p-n結(jié)二極管
介紹本征半導(dǎo)體、p型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體的結(jié)構(gòu)，p-n結(jié)的形成方法，能p-n結(jié)二極管無(wú)光照和受光照時(shí)的理想電流-電壓特性，太陽(yáng)能電池的輸出參數(shù)。
2.2.4 效率的極限、損失和測(cè)量
介紹為什么太陽(yáng)能電池效率存在極限，太陽(yáng)能參數(shù)對(duì)效率的影響機(jī)制，太陽(yáng)能電池的等效電路，太陽(yáng)能電池效率的測(cè)量原理。
2.2.5 標(biāo)準(zhǔn)硅太陽(yáng)能電池工藝和薄膜太陽(yáng)能電池
介紹晶體硅的基本性質(zhì)和制備工藝流程，非晶硅太陽(yáng)能電池結(jié)構(gòu)以及工作原理，GdTe，GaAs等薄膜太陽(yáng)能電池的基本結(jié)構(gòu)和工作原理。
2.2.6 光伏系統(tǒng)的組成與應(yīng)用
介紹光伏系統(tǒng)所需要的部件，整個(gè)系統(tǒng)的性能和商業(yè)化生產(chǎn)的可能性。
3 光伏技術(shù)課程教學(xué)實(shí)施建議
課堂教學(xué)是學(xué)生和老師圍繞教學(xué)所開(kāi)展的交流過(guò)程，教學(xué)不是獨(dú)白，新時(shí)期大學(xué)教師的責(zé)任也遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò)傳統(tǒng)意義上的“傳道、授業(yè)，解惑也”。大學(xué)課堂的教學(xué)方式需要更加多元化，充分調(diào)動(dòng)學(xué)生的學(xué)習(xí)積極性和主觀能動(dòng)性，利用課堂教學(xué)引導(dǎo)學(xué)生獨(dú)立思考，從多方位、多層次培養(yǎng)學(xué)生的思維方式，使其具有扎實(shí)的學(xué)科基礎(chǔ)知識(shí)、良好的理論素養(yǎng)和相關(guān)實(shí)驗(yàn)技能的創(chuàng)新型人才。對(duì)于光伏技術(shù)這門(mén)課的教學(xué)來(lái)說(shuō)，我們可以從以下幾個(gè)方面入手：
3.1 培養(yǎng)學(xué)生建議系統(tǒng)的知識(shí)體系，重視知識(shí)更新
光伏技術(shù)與固體物理和半導(dǎo)體物理等課程間具有緊密的聯(lián)系。比如Si，GaAs等太陽(yáng)能電池材料都是很常見(jiàn)的半導(dǎo)體材料，具有一般半導(dǎo)體材料的基本性質(zhì)。因而教師可以從學(xué)生已建立的半導(dǎo)體知識(shí)框架體系出發(fā)再逐步引導(dǎo)過(guò)渡到光伏電池的知識(shí)體系，由簡(jiǎn)單到復(fù)雜，由已知的到未知的，讓學(xué)生從內(nèi)心豎立學(xué)習(xí)這門(mén)課的信心，培養(yǎng)學(xué)生建立系統(tǒng)化的知識(shí)體系。為了適應(yīng)學(xué)科建設(shè)和人才培養(yǎng)的要求，內(nèi)容陳舊的內(nèi)容可以壓縮課時(shí)少講，把能夠充分反應(yīng)光伏領(lǐng)域的前沿科學(xué)問(wèn)題以及光伏相關(guān)產(chǎn)業(yè)的新發(fā)展和新趨勢(shì)融入到教學(xué)的內(nèi)容中來(lái)，這樣有利于加強(qiáng)學(xué)生科學(xué)素質(zhì)和創(chuàng)新能力的培養(yǎng)。比如對(duì)于光伏領(lǐng)域來(lái)說(shuō)，目前主力軍是第一代晶體硅太陽(yáng)能電池，產(chǎn)業(yè)界所獲得的電池效率已基本跟上實(shí)驗(yàn)室的標(biāo)準(zhǔn)。但光伏技術(shù)的發(fā)展日新月異，產(chǎn)業(yè)界追求的最終目的是高效率低成本。這就需要我們對(duì)第二代薄膜太陽(yáng)能電池甚至是第三代量子點(diǎn)太陽(yáng)能電池繼續(xù)開(kāi)展深入的研究。因此在教學(xué)過(guò)程中，教師在以晶體硅電池作為示范來(lái)介紹太陽(yáng)能電池的工作原理和制備工藝后，應(yīng)該進(jìn)一步講授光伏新技術(shù)的發(fā)展和應(yīng)用，拓寬學(xué)生的知識(shí)面。
3.2 強(qiáng)化課堂小組討論，課后實(shí)際調(diào)研
教師要積極給學(xué)生創(chuàng)造寬松、活躍的學(xué)習(xí)氛圍，鼓勵(lì)開(kāi)展多種形式的課程學(xué)習(xí)方式，如專(zhuān)題講座、興趣小組、專(zhuān)題閱讀等。對(duì)于光伏工藝中涉及到的如何減少表面反射率的專(zhuān)題，建議可以采取研討的方式講授，讓學(xué)生們分成小組，每一個(gè)組調(diào)研一種可以實(shí)現(xiàn)減小反射的工藝，組內(nèi)的同學(xué)分工合作調(diào)研后做成PPT再在課堂上給其他學(xué)生進(jìn)行講解，最后由教師對(duì)各個(gè)小組的調(diào)研成果進(jìn)行總結(jié)。研討的教學(xué)方式，可以激發(fā)學(xué)生的學(xué)習(xí)興趣和求知欲望。學(xué)生對(duì)某個(gè)專(zhuān)題進(jìn)行調(diào)研，實(shí)際上就是一種目的明確的科研鍛煉，每一個(gè)小組就是一個(gè)科研小組。整個(gè)調(diào)研過(guò)程能讓學(xué)生切切實(shí)實(shí)感受到做科研的精神，學(xué)會(huì)怎么去研究，怎么去合作交流，進(jìn)一步培養(yǎng)他們獨(dú)立分析問(wèn)題和解決問(wèn)題的能力。把調(diào)研過(guò)后的內(nèi)容再以準(zhǔn)教師的身份和大家分享，這又無(wú)疑鍛煉了學(xué)生的口頭表達(dá)能力。注重課堂討論，課后調(diào)研的教學(xué)能讓學(xué)生充分感受到探索科學(xué)的精神和樂(lè)趣，激發(fā)創(chuàng)新的愿望，為培養(yǎng)成光伏研究型人才打下基礎(chǔ)。
3.3 增強(qiáng)實(shí)驗(yàn)教學(xué)，提高動(dòng)手能力
《光伏技術(shù)》課程是一門(mén)實(shí)踐性很強(qiáng)的課，實(shí)驗(yàn)教學(xué)有利于加深學(xué)生對(duì)所學(xué)的理論知識(shí)的理解。在光伏技術(shù)實(shí)驗(yàn)教學(xué)中，教師需要加強(qiáng)實(shí)驗(yàn)教學(xué)理念的改革，減少驗(yàn)證性的實(shí)驗(yàn)，而多開(kāi)設(shè)學(xué)生主導(dǎo)研究型實(shí)驗(yàn)，可以讓具有高專(zhuān)業(yè)知識(shí)背景的骨干教師參與實(shí)驗(yàn)教學(xué)和指導(dǎo)學(xué)生。他們的言傳身教使學(xué)生在掌握基礎(chǔ)知識(shí)和基本技能的同時(shí)，也受到初步的科學(xué)研究方法方面的訓(xùn)練，從而提高學(xué)生的能力。《光伏技術(shù)》可開(kāi)設(shè)的實(shí)驗(yàn)很多：如硅太陽(yáng)能電池制備、電池效率測(cè)量、減反膜厚度與折射率測(cè)量等等。光伏領(lǐng)域背后的強(qiáng)大利潤(rùn)推動(dòng)企業(yè)盡快掌握更好的專(zhuān)利技術(shù)，因此許多企業(yè)都傾向于與高校聯(lián)合設(shè)立實(shí)驗(yàn)室，高校在企業(yè)中也設(shè)立了長(zhǎng)期穩(wěn)定的實(shí)習(xí)基地。這就給學(xué)生提供了更好的鍛煉機(jī)會(huì)，把實(shí)驗(yàn)室的結(jié)果進(jìn)一步向產(chǎn)線推進(jìn)，使學(xué)生的知識(shí)、素質(zhì)和技能相輔相成，全面發(fā)展，這也體現(xiàn)出教學(xué)注重知識(shí)與實(shí)際生活和科技進(jìn)步緊密聯(lián)系的獨(dú)特理念。不僅僅是學(xué)生，我們的教師也應(yīng)該經(jīng)常到相關(guān)企業(yè)學(xué)習(xí)，參加專(zhuān)業(yè)性的學(xué)術(shù)會(huì)議，積極和同行交流，充實(shí)自己。
3.4 改進(jìn)教學(xué)評(píng)價(jià)
本課程的學(xué)生成績(jī)由平時(shí)成績(jī)，實(shí)驗(yàn)成績(jī)和期末成績(jī)?nèi)糠纸M成，根據(jù)考核方式，其中平時(shí)成績(jī)和實(shí)驗(yàn)成績(jī)各占總成績(jī)的20%，期末成績(jī)占總成績(jī)的60%。成績(jī)以百分制記。平時(shí)成績(jī)由平時(shí)作業(yè)、出勤、課堂表現(xiàn)等綜合評(píng)定，實(shí)驗(yàn)成績(jī)要注重考查學(xué)生的動(dòng)手能力。
4 總結(jié)
總之，要上好《光伏技術(shù)》這門(mén)課程，要明確該課程的教學(xué)目的，根據(jù)實(shí)際需要選取合適的課程教學(xué)內(nèi)容，拓寬學(xué)生的知識(shí)面。在課程教學(xué)中，重視學(xué)生理論水平、實(shí)驗(yàn)技術(shù)和創(chuàng)新能力的培養(yǎng)，重視學(xué)生實(shí)際動(dòng)手能力的提高，使其成為具備光伏知識(shí)背景的高素質(zhì)創(chuàng)新型人才。
[參考文獻(xiàn)]
[1]熊紹珍，朱美芳.《太陽(yáng)能電池基礎(chǔ)與應(yīng)用》.北京：科學(xué)出版，2009年，第1版.
[2]徐云遠(yuǎn).《太陽(yáng)能電池的研究進(jìn)展》.《商品與質(zhì)量：學(xué)術(shù)觀察》，2013年第4期，87-88.
第2篇：半導(dǎo)體工藝基礎(chǔ)知識(shí)范文
關(guān)鍵詞：集成電路工藝；立體化教學(xué)；探索與實(shí)踐
微電子技術(shù)是高科技和信息產(chǎn)業(yè)的核心技術(shù)，是伴隨著集成電路（IC）發(fā)展起來(lái)的高新技術(shù)，對(duì)國(guó)民經(jīng)濟(jì)和國(guó)家安全有著舉足輕重的戰(zhàn)略作用。集成電路工藝作為電子科學(xué)與技術(shù)相關(guān)專(zhuān)業(yè)的專(zhuān)業(yè)課程，其任務(wù)是使學(xué)生掌握集成電路的主要工藝技術(shù)及相關(guān)原理，培養(yǎng)其自主解決工藝問(wèn)題的能力。課程具有實(shí)踐性強(qiáng)、理論與實(shí)踐密切結(jié)合的特點(diǎn)，目前的教學(xué)存在強(qiáng)調(diào)理論、忽視實(shí)踐的問(wèn)題，學(xué)生害怕硬件，缺乏動(dòng)手能力，不能扎實(shí)系統(tǒng)地掌握課程知識(shí)。本文對(duì)集成電路工藝的教學(xué)方法和教學(xué)內(nèi)容進(jìn)行了探討，搭建了“理論―模擬―實(shí)踐”的立體化教學(xué)平臺(tái)，為大學(xué)教學(xué)改革提供參考。
一、目前課程存在的問(wèn)題
1.教學(xué)模式的限制
在課程教學(xué)中，教學(xué)模式主要以理論授課為主，但是高等院校對(duì)微電子及集成電路專(zhuān)業(yè)的人才培養(yǎng)方式越來(lái)越強(qiáng)調(diào)對(duì)學(xué)生實(shí)踐能力的培養(yǎng)，傳統(tǒng)板書(shū)和多媒體PPT演示的教學(xué)方法已經(jīng)無(wú)法滿(mǎn)足與實(shí)驗(yàn)教學(xué)有機(jī)的結(jié)合。
2.教學(xué)資源的缺乏
要培養(yǎng)學(xué)生具備較好的動(dòng)手能力及基本的科研素質(zhì)，在集成電路工藝實(shí)驗(yàn)教學(xué)中，必須使用各種工藝設(shè)備，如擴(kuò)散爐、退火爐、光刻機(jī)、刻蝕機(jī)等，這些設(shè)備儀器價(jià)格昂貴，購(gòu)置和維護(hù)這些設(shè)備的費(fèi)用遠(yuǎn)遠(yuǎn)超出了學(xué)校的承受能力，導(dǎo)致其中部分實(shí)驗(yàn)無(wú)法開(kāi)設(shè)，降低了教學(xué)效果。
3.課程設(shè)置僵化
目前集成電路工藝的課程設(shè)置一般是采用理論教學(xué)和實(shí)驗(yàn)教學(xué)結(jié)合、理論教學(xué)和計(jì)算機(jī)模擬結(jié)合的形式，或者單獨(dú)進(jìn)行相關(guān)的課程設(shè)計(jì)，整個(gè)知識(shí)面不夠系統(tǒng)，并且考核形式比較單一，不利于學(xué)生集成電路工藝設(shè)計(jì)和分析能力的提高。
二、立體化教學(xué)在課程中的實(shí)踐
1.理論教學(xué)設(shè)計(jì)
集成電路工藝的基礎(chǔ)知識(shí)所涉及的面較廣，理論性較強(qiáng)，要求學(xué)生能夠扎實(shí)掌握半導(dǎo)體原理和器件的相關(guān)知識(shí)，能夠從前期的課程基礎(chǔ)上解釋工藝中出現(xiàn)的問(wèn)題，如外延層構(gòu)造及缺陷與器件性能間的聯(lián)系、擴(kuò)散參數(shù)與摻雜離子分布的聯(lián)系等。所以，在教學(xué)內(nèi)容的選擇上突出交叉課程的相關(guān)性，將半導(dǎo)體原理和器件的內(nèi)容融入工藝的教學(xué)內(nèi)容中，有利于電子科學(xué)與技術(shù)專(zhuān)業(yè)學(xué)生對(duì)課程體系的整體掌握。
2.模擬仿真設(shè)計(jì)
TCAD（Technology CAD） 即工藝計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)已經(jīng)在集成電路工藝中有著舉足輕重的作用，廣泛運(yùn)用于工藝優(yōu)化、控制以及設(shè)計(jì)優(yōu)化中，不但可以通過(guò)模擬芯片制備的整個(gè)工藝流程節(jié)省實(shí)驗(yàn)成本，在實(shí)驗(yàn)前后以及進(jìn)行過(guò)程中，可以隨時(shí)觀察各項(xiàng)數(shù)據(jù)，對(duì)實(shí)驗(yàn)過(guò)程和結(jié)果進(jìn)行直觀分析，從而使學(xué)生得到及時(shí)全面的認(rèn)知，改善教學(xué)效果。對(duì)理論教學(xué)中的案例進(jìn)行驗(yàn)證性和探究性模擬實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)，可以進(jìn)一步加強(qiáng)學(xué)生對(duì)知識(shí)的掌握程度?；谀贤ù髮W(xué)的SILVACO―TCAD的教學(xué)軟件，同樣以熱擴(kuò)散工藝為例，如下圖所示，擴(kuò)散深度隨著擴(kuò)散時(shí)間的增加而增加，可見(jiàn)在模擬實(shí)驗(yàn)中可以便捷地修改各項(xiàng)參數(shù)，靈活設(shè)計(jì)教學(xué)內(nèi)容。
3.實(shí)驗(yàn)教學(xué)設(shè)計(jì)
實(shí)驗(yàn)作為教學(xué)的重要組成部分必須與理論教學(xué)相輔相成， 必須能有效地促進(jìn)學(xué)生對(duì)理論的理解，又要能在實(shí)驗(yàn)中應(yīng)用相關(guān)理論，為學(xué)生獲得新的理論知識(shí)打下良好的基礎(chǔ)。目前集成電路工藝課程存在實(shí)驗(yàn)儀器貴重、精密、量少與實(shí)驗(yàn)人數(shù)多、實(shí)驗(yàn)時(shí)間短的供需矛盾，因此對(duì)于現(xiàn)有的設(shè)備一定要對(duì)實(shí)驗(yàn)參數(shù)進(jìn)行正交設(shè)計(jì)，從全面實(shí)驗(yàn)中挑選出部分有代表性的點(diǎn)進(jìn)行實(shí)驗(yàn)，注重高效率、快速、經(jīng)濟(jì)。
綜上所述，在集成電路工藝課程中，建立理論授課―TCAD工藝模擬―工藝實(shí)驗(yàn)密切結(jié)合的立體化實(shí)驗(yàn)平臺(tái)，不但能豐富課程的教學(xué)內(nèi)容，而且能激發(fā)學(xué)生的學(xué)習(xí)興趣，也能使學(xué)生更為扎實(shí)地掌握集成電路制備的整個(gè)流程和設(shè)計(jì)方式，增強(qiáng)動(dòng)手能力，提升教學(xué)效果。
參考文獻(xiàn)：
第3篇：半導(dǎo)體工藝基礎(chǔ)知識(shí)范文
關(guān)鍵詞：研究性學(xué)習(xí)；半導(dǎo)體物理；微電子技術(shù)；教學(xué)
微電子技術(shù)已經(jīng)發(fā)展的越來(lái)越廣泛，已經(jīng)應(yīng)用到生活中的各個(gè)領(lǐng)域。隨著半導(dǎo)體、集成電路技術(shù)的發(fā)展的越來(lái)越快，繼續(xù)研究半導(dǎo)體基礎(chǔ)理論是非常重要的。目前,大多數(shù)高校工科學(xué)生現(xiàn)在都重視做實(shí)驗(yàn)而忽視了理論的發(fā)展,而對(duì)于微電子學(xué)專(zhuān)業(yè)的學(xué)生來(lái)說(shuō),是重視電路的設(shè)計(jì)而忽視了半導(dǎo)體的發(fā)展，所以，學(xué)生學(xué)習(xí)半導(dǎo)體物理的積極性并不高,這與教學(xué)課程設(shè)計(jì)有很大的關(guān)系，教學(xué)中理論聯(lián)系實(shí)際缺乏，教學(xué)方法單一等都是造成學(xué)生積極性不高的原因。而半導(dǎo)體物理是微電子學(xué)專(zhuān)業(yè)一門(mén)重要的專(zhuān)業(yè)基礎(chǔ)課，主要內(nèi)容包括能帶的概念、本證光譜和能帶結(jié)構(gòu)、雜質(zhì)電子態(tài)、載流子運(yùn)輸、半導(dǎo)體表面和界面、非晶態(tài)半導(dǎo)體、非平衡載流子和運(yùn)動(dòng)規(guī)律等基本概念和理論，這些知識(shí)為學(xué)生后面進(jìn)行相關(guān)學(xué)科的學(xué)習(xí)奠定了基礎(chǔ)。在半導(dǎo)體物理的專(zhuān)業(yè)實(shí)驗(yàn)課上開(kāi)展諸如半導(dǎo)體電阻率、非平衡少數(shù)載流子壽命、電容電壓特性和霍爾遷移率測(cè)量等簡(jiǎn)單的測(cè)試性實(shí)驗(yàn)。在實(shí)驗(yàn)過(guò)程中，實(shí)驗(yàn)的操作和實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)的處理過(guò)于簡(jiǎn)單化，而且，實(shí)驗(yàn)時(shí)長(zhǎng)安排不妥，學(xué)生往往用不到一半的時(shí)間就可以完成全部?jī)?nèi)容，所以，實(shí)際上，學(xué)生在實(shí)驗(yàn)過(guò)程中收獲的并不是很多。綜上所述，在半導(dǎo)體物理的教學(xué)過(guò)程中還存在一些不足需要改進(jìn)，內(nèi)容如下:（一）基礎(chǔ)知識(shí)掌握不牢固。半導(dǎo)體物理涉及的內(nèi)容包括固體物理、量子力學(xué)等多門(mén)學(xué)科。這樣學(xué)生所學(xué)知識(shí)點(diǎn)變得更多，頭緒不清，不知道什么是重點(diǎn)，對(duì)基本概念的理解更是不清不楚，且不能將所學(xué)的知識(shí)融會(huì)貫通。（二）教材上的內(nèi)容不能隨發(fā)展而變。也就是說(shuō)教材的教學(xué)內(nèi)容更新已經(jīng)跟不上半導(dǎo)體相關(guān)科學(xué)知識(shí)的飛速發(fā)展。因?yàn)榘雽?dǎo)體學(xué)科領(lǐng)域極速發(fā)展,不斷涌現(xiàn)新理論和新成果。（三）教學(xué)枯燥無(wú)味。只靠教師口述教學(xué)內(nèi)容會(huì)讓學(xué)生感覺(jué)內(nèi)容枯燥、缺乏學(xué)習(xí)興趣。教學(xué)內(nèi)容抽象化學(xué)生被強(qiáng)加灌輸知識(shí)，導(dǎo)致學(xué)習(xí)者在學(xué)習(xí)方面缺乏主動(dòng)性和創(chuàng)造性。（四）學(xué)生自主學(xué)習(xí)主管能動(dòng)性差?，F(xiàn)在的教學(xué)模式顯得被動(dòng)、單一，這樣的教學(xué)模式只會(huì)導(dǎo)致學(xué)生學(xué)習(xí)興趣不高，自主學(xué)習(xí)和主動(dòng)探索的能力差。（五）學(xué)生動(dòng)手能力差。實(shí)驗(yàn)課的設(shè)置較少，學(xué)生動(dòng)手的機(jī)會(huì)也就少了，導(dǎo)致學(xué)生缺乏創(chuàng)新精神。半導(dǎo)體物理的學(xué)習(xí)強(qiáng)調(diào)理論與實(shí)驗(yàn)相結(jié)合，但目前開(kāi)展的實(shí)驗(yàn)內(nèi)容單一、實(shí)驗(yàn)環(huán)節(jié)固化，感覺(jué)不到學(xué)生對(duì)實(shí)驗(yàn)的融入，不僅無(wú)法引起學(xué)生學(xué)習(xí)理論課的興趣，也無(wú)法達(dá)到訓(xùn)練學(xué)生創(chuàng)新性的目的。我們探索并實(shí)踐了將研究性學(xué)習(xí)思想引入到半導(dǎo)體物理的教學(xué)活動(dòng)中[1]，重視主體性和創(chuàng)造性?xún)r(jià)值的培養(yǎng)。以此方式來(lái)解決目前半導(dǎo)體物理教學(xué)中存在的這些問(wèn)題，具體的改革如下：
一教師教學(xué)觀念的轉(zhuǎn)變是實(shí)施研究性學(xué)習(xí)的前提
半導(dǎo)體物理的特點(diǎn)是概念多，理論多，物理模型抽象，不易理解，在課本上上學(xué)習(xí)，學(xué)生會(huì)感到內(nèi)容枯燥，缺少直觀性和形象性，學(xué)習(xí)起來(lái)比較困難。因此，教師想盡其所能改變傳統(tǒng)的教育方式，在教學(xué)中進(jìn)行專(zhuān)題講座、分組討論、充分利用PPT，flash等多媒體軟件，安排學(xué)生針對(duì)具體研究問(wèn)題進(jìn)行研究實(shí)踐等教學(xué)形式，轉(zhuǎn)變教學(xué)觀念，改變學(xué)習(xí)方式和狀態(tài)，把學(xué)生置于學(xué)習(xí)的主體地位，創(chuàng)設(shè)使學(xué)生主動(dòng)參與的教學(xué)情景，激發(fā)學(xué)生學(xué)習(xí)的主動(dòng)性[2]。
二加強(qiáng)課程建設(shè)，根據(jù)專(zhuān)業(yè)特點(diǎn)及科技發(fā)展的需要
合理的安排教學(xué)內(nèi)容，講課內(nèi)容做到豐富、全面，知識(shí)點(diǎn)講解透徹，同時(shí)了解行業(yè)發(fā)展動(dòng)態(tài)半導(dǎo)體物理學(xué)教材采用劉恩科主編的《半導(dǎo)體物理學(xué)》第七版，結(jié)合我校微電子學(xué)專(zhuān)業(yè)的具體情況，我們對(duì)該書(shū)的課內(nèi)精講教學(xué)內(nèi)容進(jìn)行了整合。首先把握好整體知識(shí)結(jié)構(gòu),在此基礎(chǔ)上突出教學(xué)重點(diǎn)。（一）首先做好先修知識(shí)的銜接半導(dǎo)體前五章為理論基礎(chǔ)的部分，主要講述了半導(dǎo)體中的電子狀態(tài)，雜質(zhì)和能級(jí)缺陷，載流子的統(tǒng)計(jì)分布，半導(dǎo)體的導(dǎo)電性與非平衡載流子，在此基礎(chǔ)上闡述了電子的有效質(zhì)量，費(fèi)米能級(jí)，遷移率，非平衡載流子壽命等基本概念。第一章和第四章的知識(shí)點(diǎn)包括晶體結(jié)構(gòu)、晶面、晶向、晶格振動(dòng)、能帶理論等，講授新課之前將涉及到的知識(shí)點(diǎn)讓學(xué)生課下進(jìn)行自主學(xué)習(xí)。如果有不理解的內(nèi)容可通過(guò)課下答疑的方式進(jìn)行輔導(dǎo)。（二）重要的知識(shí)要精細(xì)解讀教師在課堂授課的時(shí)候要明確本次課程學(xué)習(xí)的主線，在主線中穿插重要的概念和主要知識(shí)點(diǎn)，復(fù)雜公式詳細(xì)的推導(dǎo)過(guò)程被弱化，力求想法清楚、定義明確、難點(diǎn)清晰。比如在教師教授第三章的課程時(shí)，學(xué)習(xí)載流子濃度，應(yīng)該讓學(xué)生清楚的明白要先計(jì)算的是狀態(tài)密度，然后再計(jì)算費(fèi)米分布函數(shù)或者玻爾茲曼函數(shù)，最后計(jì)算出平衡時(shí)的空穴和電子的濃度。（三）最新的知識(shí)擴(kuò)充因?yàn)榉浅Ｑ杆侔l(fā)展的現(xiàn)代半導(dǎo)體技術(shù)，以及不斷拓展的技術(shù)研究方向，半導(dǎo)體領(lǐng)域的相關(guān)知識(shí)更新也很快，因此，與時(shí)俱進(jìn)是教師應(yīng)該做到的，時(shí)刻關(guān)注研究熱點(diǎn)與科技前沿，更要將教學(xué)內(nèi)容合理安排。對(duì)于本書(shū)中的第七章、第九章和第十章書(shū)本上的知識(shí)點(diǎn)不過(guò)多講解，只做基礎(chǔ)的介紹即可，主要講解基本理論和基本概念，比較難的內(nèi)容只做一般性的了解。教師要合理取舍教學(xué)內(nèi)容，與其他課程的重疊內(nèi)容要壓縮，更要將教材中的陳舊知識(shí)刪除。（四）實(shí)驗(yàn)內(nèi)容和方式的轉(zhuǎn)變?yōu)檎{(diào)動(dòng)學(xué)生實(shí)驗(yàn)的積極性，增加難度，我們將工藝實(shí)驗(yàn)中得到的產(chǎn)品用到測(cè)試實(shí)驗(yàn)中，既能夠驗(yàn)證工藝實(shí)驗(yàn)的成果，也能夠分析更多的實(shí)驗(yàn)參數(shù)，達(dá)到將理論課和實(shí)驗(yàn)課內(nèi)容更好結(jié)合的目的，還能鍛煉學(xué)生對(duì)實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)分析和處理的能力。在實(shí)驗(yàn)方面也進(jìn)行了研究性學(xué)習(xí)的探索，努力引導(dǎo)學(xué)生進(jìn)行研究性實(shí)驗(yàn)。
三引入研究性學(xué)習(xí)思想，培養(yǎng)學(xué)生文獻(xiàn)調(diào)研能力
網(wǎng)絡(luò)是知識(shí)的海洋，讓學(xué)生利用網(wǎng)絡(luò)來(lái)學(xué)習(xí)半導(dǎo)體物理相關(guān)資料提高自主學(xué)習(xí)性以及運(yùn)用所學(xué)的知識(shí)進(jìn)行自主創(chuàng)新的能力是非常重要的。把學(xué)生被動(dòng)式學(xué)習(xí)的模式轉(zhuǎn)化為以學(xué)生為主導(dǎo)的教學(xué)方式，讓學(xué)生融入所設(shè)問(wèn)題的情景中，引出科研中遇到的問(wèn)題，并對(duì)某些問(wèn)題進(jìn)行討論。在文獻(xiàn)調(diào)研的過(guò)程中，讓學(xué)生充分、及時(shí)地了解半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的相關(guān)動(dòng)態(tài)，學(xué)會(huì)“詳讀”和“粗讀”文獻(xiàn)，多多積累文獻(xiàn)中涉及到半導(dǎo)體物理的知識(shí)，加強(qiáng)對(duì)課堂所學(xué)內(nèi)容的理解，激發(fā)學(xué)生的創(chuàng)新思維。讀過(guò)文獻(xiàn)后要做出相應(yīng)的總結(jié)匯報(bào)，可以以PPT的形式給出，方便其他人對(duì)文獻(xiàn)的理解，學(xué)生也可以嘗試到作為一名老師的感覺(jué)。這樣師生互換角色，在教師的引導(dǎo)下使學(xué)生成為富有主動(dòng)性的探究與學(xué)習(xí)者。四將科研融入到教學(xué)中把科研和教學(xué)結(jié)合起來(lái)，讓學(xué)生明白自己學(xué)習(xí)的知識(shí)可以具體應(yīng)用到生產(chǎn)生活的哪些方面。我們可以做的有：（1）針對(duì)課堂教學(xué)中講到的半導(dǎo)體中的物理現(xiàn)象或者概念應(yīng)用到某一個(gè)器件的制造中，激勵(lì)學(xué)生通過(guò)課程設(shè)計(jì)過(guò)程的方式參與到學(xué)院老師的項(xiàng)目中，通過(guò)具體的研究工作，將研究結(jié)果撰寫(xiě)成研究論文。（2）將已取得的科研成果作為新的教學(xué)內(nèi)容，充實(shí)到教學(xué)中去，使課堂上所講的知識(shí)和我們實(shí)際的工業(yè)生產(chǎn)、生活聯(lián)系起來(lái)，遠(yuǎn)離以往單一、抽象、枯燥的教學(xué)，使學(xué)生帶著問(wèn)題來(lái)學(xué)習(xí)新知識(shí)，鼓勵(lì)學(xué)生參與真實(shí)科研項(xiàng)目的研究。以這兩種方式提高學(xué)生了解問(wèn)題、剖析問(wèn)題的能力，讓學(xué)生積極參與其中，把抽象的東西實(shí)物化，教學(xué)效果非常明顯。綜上所述，我們將以更新教學(xué)內(nèi)容、改變教學(xué)觀念、注重實(shí)驗(yàn)、實(shí)踐教學(xué)、培養(yǎng)學(xué)生的創(chuàng)新精神為目的進(jìn)行半導(dǎo)體物理的課程改革來(lái)解決教學(xué)過(guò)程中存在的一些問(wèn)題。
作者:王月 李雪 張經(jīng)慧 單位:渤海大學(xué)
參考文獻(xiàn)
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第4篇：半導(dǎo)體工藝基礎(chǔ)知識(shí)范文
【關(guān)鍵詞】集成電路 理論教學(xué) 改革探索
【基金項(xiàng)目】湖南省自然科學(xué)基金項(xiàng)目（14JJ6040）;湖南工程學(xué)院博士啟動(dòng)基金。
【中圖分類(lèi)號(hào)】G642.3 【文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼】A 【文章編號(hào)】2095-3089（2015）08-0255-01
隨著科學(xué)技術(shù)的不斷進(jìn)步，電子產(chǎn)品向著智能化、小型化和低功耗發(fā)展。集成電路技術(shù)的不斷進(jìn)步，推動(dòng)著計(jì)算機(jī)等電子產(chǎn)品的不斷更新?lián)Q代，同時(shí)也推動(dòng)著整個(gè)信息產(chǎn)業(yè)的發(fā)展[1]。因此，對(duì)集成電路相關(guān)人才的需求也日益增加。目前國(guó)內(nèi)不僅僅985、211等重點(diǎn)院校開(kāi)設(shè)了集成電路相關(guān)課程，一些普通本科院校也開(kāi)設(shè)了相關(guān)課程。課程的教學(xué)內(nèi)容由單純的器件物理轉(zhuǎn)變?yōu)榘M集成電路、數(shù)字集成電路、集成電路工藝、集成電路封裝與測(cè)試等[2]。隨著本科畢業(yè)生就業(yè)壓力的不斷增加，培養(yǎng)應(yīng)用型、創(chuàng)新型以及可發(fā)展型的本科人才顯得日益重要。然而，從目前我國(guó)各普通院校對(duì)集成電路的課程設(shè)置來(lái)看，存在著重傳統(tǒng)輕前沿、不因校施教、不因材施教等問(wèn)題，進(jìn)而導(dǎo)致學(xué)生對(duì)集成電路敬而遠(yuǎn)之，退避三舍，學(xué)習(xí)積極性不高，繼而導(dǎo)致學(xué)生的可發(fā)展性不好，不能適應(yīng)企業(yè)的要求。
本文結(jié)合湖南工程學(xué)院電氣信息學(xué)院電子科學(xué)與技術(shù)專(zhuān)業(yè)的實(shí)際，詳細(xì)闡述了本校當(dāng)前“集成電路原理與應(yīng)用”課程理論教學(xué)中存在的問(wèn)題，介紹了該課程的教學(xué)改革措施，旨在提高本校及各兄弟院校電子科學(xué)與技術(shù)專(zhuān)業(yè)學(xué)生的專(zhuān)業(yè)興趣，培養(yǎng)學(xué)生的創(chuàng)新意識(shí)。
1.“集成電路原理與應(yīng)用”課程理論教學(xué)存在的主要問(wèn)題
1.1理論性強(qiáng)，課時(shí)較少
對(duì)于集成電路來(lái)說(shuō)，在講解之前，學(xué)生應(yīng)該已經(jīng)學(xué)習(xí)了以下課程，如：“固體物理”、“半導(dǎo)體物理”、“晶體管原理”等。但是，由于這些課程的理論性較強(qiáng)，公式較多，要求學(xué)生的數(shù)學(xué)功底要好。這對(duì)于數(shù)學(xué)不是很好的學(xué)生來(lái)說(shuō)，就直接導(dǎo)致了其學(xué)習(xí)興趣降低。由于目前嵌入式就業(yè)前景比較好，在我們學(xué)校，電子科學(xué)與技術(shù)專(zhuān)業(yè)的學(xué)生更喜歡嵌入式方面的相關(guān)課程。而集成電路相關(guān)企業(yè)更喜歡研究生或者實(shí)驗(yàn)條件更好的985、211高校的畢業(yè)生，使得我校集成電路方向的本科畢業(yè)生找到相關(guān)的較好工作比較困難。因此，目前我校電子科學(xué)與技術(shù)專(zhuān)業(yè)的發(fā)展方向定位為嵌入式，這就導(dǎo)致一些跟集成電路相關(guān)的課程，如“微電子工藝”、“晶體管原理”、“半導(dǎo)體物理”等課程都取消掉了，而僅僅保留了“模擬電子技術(shù)”和“數(shù)字電子技術(shù)”這兩門(mén)基礎(chǔ)課程。這對(duì)于集成電路課程的講授更增加了難度?！凹呻娐吩砼c應(yīng)用”課程只有56課時(shí)，理論課46課時(shí)，實(shí)驗(yàn)課10課時(shí)。只講授教材上的內(nèi)容，沒(méi)有基礎(chǔ)知識(shí)的積累，就像空中架房，沒(méi)有根基。在教材的基礎(chǔ)上額外再講授基礎(chǔ)知識(shí)的話，課時(shí)又遠(yuǎn)遠(yuǎn)不夠。這就導(dǎo)致老師講不透，學(xué)生聽(tīng)不懂，效果很不好。
1.2重傳統(tǒng)知識(shí)，輕科技前沿
利用經(jīng)典案例來(lái)進(jìn)行課程教學(xué)是夯實(shí)集成電路基礎(chǔ)的有效手段。但是對(duì)于集成電路來(lái)說(shuō)，由于其更新?lián)Q代的速度非常快，故在進(jìn)行教學(xué)時(shí)，除了采用經(jīng)典案例來(lái)夯實(shí)基礎(chǔ)外，還需緊扣產(chǎn)業(yè)的發(fā)展前沿。只有這樣才能保證人才培養(yǎng)不過(guò)時(shí)，學(xué)校培養(yǎng)的學(xué)生與社會(huì)需求不脫節(jié)。但目前在授課內(nèi)容上還只是注重傳統(tǒng)知識(shí)的講授，對(duì)于集成電路的發(fā)展動(dòng)態(tài)和科技前沿則很少涉及。
1.3不因校施教，因材施教
教材作為教師教和學(xué)生學(xué)的主要憑借，是教師搞好教書(shū)育人的具體依據(jù)，是學(xué)生獲得知識(shí)的重要工具。然而，我校目前“集成電路原理與應(yīng)用”課程采用的教材還沒(méi)有選定。如：2012年采用葉以正、來(lái)逢昌編寫(xiě)，清華大學(xué)出版社出版的《集成電路設(shè)計(jì)》;2013年采用畢查德?拉扎維編寫(xiě)，西安交通大學(xué)出版社出版的《模擬CMOS集成電路設(shè)計(jì)》;2014年采用余寧梅、楊媛、潘銀松編著，科學(xué)出版社出版的《半導(dǎo)體集成電路》。教材一直不固定的原因是還沒(méi)有找到適合我校電子科學(xué)與技術(shù)專(zhuān)業(yè)學(xué)生實(shí)際情況的教材，這就導(dǎo)致教師不能因校施教、因材施教。
2.“集成電路原理與應(yīng)用”課程理論教學(xué)改革
2.1選優(yōu)選新課程內(nèi)容，夯實(shí)基礎(chǔ)
由于我校電子科學(xué)與技術(shù)專(zhuān)業(yè)的學(xué)生，沒(méi)有開(kāi)設(shè)“半導(dǎo)體物理”、“晶體管原理”、“微電子工藝”等相關(guān)基礎(chǔ)課程，因此理想的、適用于我校學(xué)生實(shí)際的教材應(yīng)該包括半導(dǎo)體器件原理、模擬集成電路設(shè)計(jì)、雙極型數(shù)字集成電路設(shè)計(jì)、CMOS數(shù)字集成電路設(shè)計(jì)、集成電路的設(shè)計(jì)方法、集成電路的制作工藝、集成電路的版圖設(shè)計(jì)等內(nèi)容，如表1所示。因此，在教學(xué)實(shí)踐中，本著“基礎(chǔ)、夠用”的原則，采取選優(yōu)選新的思路，盡量選擇適合我校專(zhuān)業(yè)實(shí)際的教材。目前，使用筆者編寫(xiě)的適合于我校學(xué)生實(shí)際的理論教學(xué)講義，理順了理論教學(xué)，實(shí)現(xiàn)了因校施教，因材施教。
表1 “集成電路原理與應(yīng)用”課程教學(xué)內(nèi)容
2.2提取科技前沿作為教學(xué)內(nèi)容，激發(fā)專(zhuān)業(yè)興趣
為了提高學(xué)生的專(zhuān)業(yè)興趣，讓他們了解“集成電路原理與應(yīng)用”課程的價(jià)值所在，在授課的過(guò)程中穿插介紹集成電路設(shè)計(jì)的前沿動(dòng)態(tài)。如：從IEEE國(guó)際固體電路會(huì)議的論文集中提取模塊、電路、仿真、工藝等最新的內(nèi)容，并將這些內(nèi)容按照門(mén)類(lèi)進(jìn)行分類(lèi)和總結(jié)，穿插至傳統(tǒng)的理論知識(shí)講授中，讓學(xué)生及時(shí)了解當(dāng)前集成電路設(shè)計(jì)的核心問(wèn)題。這樣不但可以激發(fā)學(xué)生的好奇心和學(xué)習(xí)興趣，還可以提高學(xué)生的創(chuàng)新能力。
2.3開(kāi)展雙語(yǔ)教學(xué)互動(dòng)，提高綜合能力
目前，我國(guó)的集成電路產(chǎn)業(yè)相對(duì)于國(guó)外來(lái)說(shuō)，還存在著相當(dāng)?shù)牟罹?。要開(kāi)展雙語(yǔ)教學(xué)的原因有三：一是集成電路課程的一些基本專(zhuān)業(yè)術(shù)語(yǔ)都是由英文翻譯過(guò)來(lái)的;二是集成電路的研究前沿都是以英文發(fā)表在期刊上的;三是世界上主流的EDA軟件供應(yīng)商都集中在歐美國(guó)家，軟件的操作語(yǔ)言與使用說(shuō)明書(shū)都是英文的。因此，集成電路課程對(duì)學(xué)生的英語(yǔ)能力要求很高，在課堂上適當(dāng)開(kāi)展雙語(yǔ)教學(xué)互動(dòng)，無(wú)論是對(duì)于學(xué)生繼續(xù)深造，還是就業(yè)都是非常必要的。
3.結(jié)語(yǔ)
集成電路自二十世紀(jì)五十年代被提出以來(lái)，經(jīng)歷了小規(guī)模、中規(guī)模、大規(guī)模、超大規(guī)模、甚大規(guī)模，目前已經(jīng)進(jìn)入到了片上系統(tǒng)階段。雖然集成電路的發(fā)展日新月異，但目前集成電路相關(guān)人才的學(xué)校培養(yǎng)與社會(huì)需求存在很大的差距。因此，對(duì)集成電路相關(guān)課程的教學(xué)改革刻不容緩?；诖?，本文從“集成電路原理與應(yīng)用”課程理論教學(xué)出發(fā)，詳細(xì)闡述了“集成電路原理與應(yīng)用”課程教學(xué)所存在的主要問(wèn)題，并有針對(duì)性的提出了該課程教學(xué)內(nèi)容和教學(xué)方法的改革措施，這對(duì)培養(yǎng)應(yīng)用型、創(chuàng)新型的集成電路相關(guān)專(zhuān)業(yè)的本科畢業(yè)生具有積極的指導(dǎo)意義。
參考文獻(xiàn)：
第5篇：半導(dǎo)體工藝基礎(chǔ)知識(shí)范文
近年來(lái)，我國(guó)高等職業(yè)技術(shù)教育發(fā)展迅猛，規(guī)模迅速擴(kuò)大。另一方面，隨著我國(guó)社會(huì)經(jīng)濟(jì)的快速發(fā)展，企業(yè)對(duì)技能型勞動(dòng)人才的需求大幅增加，對(duì)技能型勞動(dòng)人才的綜合能力亦提出了更高的要求。雖然對(duì)高等教育大眾化和社會(huì)經(jīng)濟(jì)的發(fā)展作出了突出的貢獻(xiàn)，但也帶來(lái)了突出的問(wèn)題。課程體系是一個(gè)專(zhuān)業(yè)所設(shè)置的課程相互間的分工與配合，課程體系是否合理直接關(guān)系到培養(yǎng)人才的質(zhì)量。高等學(xué)校課程體系主要反映在基礎(chǔ)課與專(zhuān)業(yè)課、理論課與實(shí)踐課、必修課與選修課之間的比例關(guān)系上。課程改革是高職教學(xué)改革的核心和難點(diǎn)。由于高職開(kāi)設(shè)微電子技術(shù)專(zhuān)業(yè)的時(shí)間較短、學(xué)校較少，形成半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的區(qū)域還比較少，因此對(duì)微電子技術(shù)專(zhuān)業(yè)的人才定位、課程體系等都還不很完善，從而給本專(zhuān)業(yè)的人才培養(yǎng)帶來(lái)不確定因素，不利于專(zhuān)業(yè)的發(fā)展，也難以滿(mǎn)足微電子技術(shù)行業(yè)企業(yè)對(duì)人才的需求。本文即針對(duì)以上問(wèn)題展開(kāi)一些有益的探討與實(shí)踐。
一、構(gòu)建課程體系的總體思路
構(gòu)建微電子技術(shù)專(zhuān)業(yè)課程體系的總體思路是以微電子行業(yè)職業(yè)崗位需求為依據(jù)，以素質(zhì)培養(yǎng)為基礎(chǔ)，以技術(shù)應(yīng)用能力為核心，構(gòu)建基于工作過(guò)程的課程體系。實(shí)施學(xué)院“四環(huán)相扣”的工學(xué)結(jié)合人才培養(yǎng)模式，將“能力標(biāo)準(zhǔn)、模塊課程、工學(xué)交替、職場(chǎng)鑒定”的四個(gè)環(huán)節(jié)完整統(tǒng)一，環(huán)環(huán)相扣，充分體現(xiàn)了高職教育工學(xué)結(jié)合的人才培養(yǎng)思想，努力為社會(huì)培養(yǎng)優(yōu)秀高端技能型人才。
1.基于工作過(guò)程的課程體系的理論基礎(chǔ)。基于工作過(guò)程的課程體系的理論基礎(chǔ)，主要從德國(guó)“雙元制”職業(yè)教育學(xué)習(xí)論和教學(xué)論的角度闡述構(gòu)建基于工作過(guò)程的課程體系的理論依據(jù)。工作過(guò)程系統(tǒng)化的課程體系必須針對(duì)職業(yè)崗位進(jìn)行分析，整理出具體的、能夠涵蓋職業(yè)崗位全部工作任務(wù)的若干典型工作過(guò)程，按照人的職業(yè)能力的形成規(guī)律進(jìn)行序列化，從中找出符合職業(yè)崗位要求的技術(shù)知識(shí)和破譯出隱性的工作過(guò)程知識(shí)，并以工作任務(wù)為核心，組織技術(shù)知識(shí)和工作過(guò)程知識(shí)[2]。通過(guò)完全打破原有學(xué)科體系，按照企業(yè)實(shí)際的工作任務(wù)、工作過(guò)程和工作情境組織課程，形成圍繞工作過(guò)程的新型教學(xué)項(xiàng)目的“綜合性”課程開(kāi)發(fā)。
2.行業(yè)、企業(yè)等用人單位調(diào)研。通過(guò)調(diào)研國(guó)內(nèi)(“成渝經(jīng)濟(jì)區(qū)”為主)微電子技術(shù)行業(yè)、企業(yè)等用人需求和要求，了解現(xiàn)有高職微電子技術(shù)專(zhuān)業(yè)學(xué)生就業(yè)情況、用人單位反饋意見(jiàn)及人才供需中存在的問(wèn)題。電子信息產(chǎn)業(yè)是重慶市國(guó)民經(jīng)濟(jì)的第一支柱產(chǎn)業(yè)。重慶市“十二五”規(guī)劃建議提出，培育發(fā)展戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)。把新一代信息產(chǎn)業(yè)建設(shè)為重要支柱產(chǎn)業(yè)，建設(shè)全球最大的筆記本電腦加工基地、建設(shè)通信設(shè)備、高性能集成電路、光伏組件及系統(tǒng)、新材料等重點(diǎn)產(chǎn)業(yè)鏈(集群)，建成國(guó)家重要的戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)基地。以集成電路產(chǎn)業(yè)的重點(diǎn)項(xiàng)目為牽引，建成包括芯片制造、封裝、測(cè)試、模擬及混合集成電路設(shè)計(jì)和制造等項(xiàng)目的產(chǎn)業(yè)集群，形成較為完善的集成電路產(chǎn)業(yè)鏈;四川電子信息產(chǎn)業(yè)未來(lái)5年將邁萬(wàn)億元，成渝經(jīng)濟(jì)區(qū)將打造成西部集成電路的產(chǎn)業(yè)高地。隨著惠普、富士康、英業(yè)達(dá)、廣達(dá)集團(tuán)等世界級(jí)的IT巨頭進(jìn)入成渝，未來(lái)幾年IT人才需求在20萬(wàn)以上，而現(xiàn)在成渝地區(qū)每年培養(yǎng)的相關(guān)人才不過(guò)2萬(wàn)人左右，遠(yuǎn)遠(yuǎn)不能滿(mǎn)足社會(huì)需求。市場(chǎng)需求的調(diào)查表明，近年來(lái)成渝地區(qū)IC制造、IC封裝及測(cè)試、IC版圖設(shè)計(jì)等崗位的微電子技術(shù)應(yīng)用型人才緊缺。同時(shí)調(diào)研表明半導(dǎo)體行業(yè)企業(yè)卻難以招到滿(mǎn)意的人才，學(xué)生在校學(xué)非所用，用非所學(xué)，實(shí)踐動(dòng)手能力、社會(huì)適應(yīng)能力、責(zé)任意識(shí)、職業(yè)素養(yǎng)難以滿(mǎn)足企業(yè)要求。
3.形成專(zhuān)業(yè)定位，確定培養(yǎng)目標(biāo)。根據(jù)存在的問(wèn)題及半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈過(guò)程：集成電路設(shè)計(jì)裸芯片精細(xì)加工封裝測(cè)試芯片應(yīng)用PCB設(shè)計(jì)制造，充分掌握現(xiàn)有微電子技術(shù)專(zhuān)業(yè)課程體系建設(shè)的基礎(chǔ)及存在的問(wèn)題，形成重慶電子工程職業(yè)學(xué)院微電子技術(shù)專(zhuān)業(yè)定位，確定培養(yǎng)目標(biāo)：培養(yǎng)德、智、體、美全面發(fā)展;掌握微電子技術(shù)專(zhuān)業(yè)領(lǐng)域必備的基礎(chǔ)知識(shí)、專(zhuān)業(yè)知識(shí);有較強(qiáng)的崗位職業(yè)技能和職業(yè)能力;面向集成電路設(shè)計(jì)、芯片制造及其相關(guān)電子行業(yè)企業(yè)，滿(mǎn)足生產(chǎn)、建設(shè)、服務(wù)和管理第一線的優(yōu)秀高端技能型專(zhuān)門(mén)人才。畢業(yè)生應(yīng)該既掌握微電子方面的基本技術(shù)，又具有很強(qiáng)的實(shí)際操作能力。具體可從事崗位：集成電路版圖設(shè)計(jì);半導(dǎo)體器件制造;IC制造、測(cè)試、封裝;電子工藝(半導(dǎo)體)設(shè)備運(yùn)行、維護(hù)與管理;簡(jiǎn)單電子產(chǎn)品的設(shè)計(jì)與開(kāi)發(fā);電子產(chǎn)品的銷(xiāo)售與售后服務(wù)，并為技術(shù)負(fù)責(zé)人、項(xiàng)目經(jīng)理等后續(xù)提升崗位奠定良好基礎(chǔ)。
二、構(gòu)建基于工作過(guò)程的學(xué)習(xí)領(lǐng)域課程體系
對(duì)專(zhuān)業(yè)核心課程的構(gòu)建采用“微電子行業(yè)專(zhuān)家確定典型工作任務(wù)學(xué)校專(zhuān)家歸并行動(dòng)領(lǐng)域微電子行業(yè)專(zhuān)家論證行動(dòng)領(lǐng)域?qū)W校專(zhuān)家開(kāi)發(fā)學(xué)習(xí)領(lǐng)域校企專(zhuān)家論證課程體系”的“五步工作機(jī)制”，實(shí)現(xiàn)校企專(zhuān)家共同參與課程體系設(shè)計(jì)。通過(guò)工作任務(wù)歸并法，實(shí)現(xiàn)典型工作任務(wù)到行動(dòng)領(lǐng)域轉(zhuǎn)換，通過(guò)工作過(guò)程分析法，實(shí)現(xiàn)從行動(dòng)領(lǐng)域到學(xué)習(xí)領(lǐng)域轉(zhuǎn)換，通過(guò)工作任務(wù)還原法，實(shí)現(xiàn)從學(xué)習(xí)領(lǐng)域到學(xué)習(xí)情境轉(zhuǎn)換的“三階段分析法”，構(gòu)建基于工作過(guò)程的微電子技術(shù)專(zhuān)業(yè)課程體系和教學(xué)內(nèi)容，獲得人才培養(yǎng)目標(biāo)、課程體系、課程教學(xué)方案“三項(xiàng)主要成果”。即“533”課程設(shè)計(jì)方法。
1.確定典型工作任務(wù)。所謂典型工作任務(wù)是指一個(gè)復(fù)雜的職業(yè)活動(dòng)中具有結(jié)構(gòu)完整的工作過(guò)程，它是職業(yè)工作中同類(lèi)工作任務(wù)的歸類(lèi)，能表現(xiàn)出職業(yè)工作的內(nèi)容和形式，并具有該職業(yè)的典型意義。我院召集企業(yè)專(zhuān)家和工作在一線的工程師、技術(shù)員，與學(xué)院的微電子技術(shù)專(zhuān)業(yè)教師一起，召開(kāi)課程開(kāi)發(fā)座談會(huì)，進(jìn)行微電子技術(shù)課程體系開(kāi)發(fā)：以“集成電路(版圖)設(shè)計(jì)晶圓制造封裝測(cè)試表面貼裝”工作過(guò)程為主線，與行業(yè)企業(yè)一線技術(shù)骨干、專(zhuān)家解析微電子技術(shù)專(zhuān)業(yè)崗位中版圖設(shè)計(jì)師、半導(dǎo)體芯片制造工、IC測(cè)試助理工程師、SMT工程師、FPGA助理工程師等典型崗位，得出行動(dòng)領(lǐng)域所具有的專(zhuān)業(yè)素質(zhì)、知識(shí)與能力。
2.確定行動(dòng)領(lǐng)域。工作過(guò)程系統(tǒng)化課程是按照工作過(guò)程要求序化知識(shí)、能力和素質(zhì)，是以工作過(guò)程為參照物，將陳述性知識(shí)與過(guò)程知識(shí)整合、理論知識(shí)與實(shí)踐知識(shí)整合，在陳述性知識(shí)總量沒(méi)有變化的情況下，增加經(jīng)驗(yàn)以及策略方面的“過(guò)程性知識(shí)”[3]。對(duì)典型工作任務(wù)進(jìn)行歸納，確定行動(dòng)領(lǐng)域。將本專(zhuān)業(yè)52個(gè)典型工作任務(wù)歸納為6個(gè)行動(dòng)領(lǐng)域，即集成電路版圖設(shè)計(jì)、晶圓制造、集成電路芯片制造技術(shù)、芯片封裝、芯片測(cè)試、SMT技術(shù)。
3.將行動(dòng)領(lǐng)域轉(zhuǎn)化成學(xué)習(xí)領(lǐng)域。對(duì)完成典型工作任務(wù)必須具備的基本職業(yè)能力(包括社會(huì)能力、方法能力、專(zhuān)業(yè)能力)進(jìn)行分析。通過(guò)歸納形成專(zhuān)業(yè)職業(yè)能力一覽表。這些職業(yè)能力就是學(xué)習(xí)領(lǐng)域(即課程)中學(xué)習(xí)目標(biāo)制定的依據(jù)。打破原有16門(mén)專(zhuān)業(yè)理論課程和9門(mén)實(shí)踐課程組成的課程體系，按照以工作過(guò)程為導(dǎo)向，進(jìn)行課程的解構(gòu)與重構(gòu)，將6個(gè)行動(dòng)領(lǐng)域轉(zhuǎn)換為9個(gè)學(xué)習(xí)領(lǐng)域，即集成電路版圖設(shè)計(jì)、集成電路芯片制造技術(shù)、微電子封裝與測(cè)試、表面貼裝工藝與實(shí)施、電子線路板實(shí)用技術(shù)、電子測(cè)量?jī)x器使用與維護(hù)、C語(yǔ)言、單片機(jī)應(yīng)用技術(shù)、FPGA應(yīng)用技術(shù)及實(shí)踐。根據(jù)微電子技術(shù)專(zhuān)業(yè)崗位群的職業(yè)能力和工作過(guò)程要求，重新構(gòu)建基于工作過(guò)程的課程體系。第一、二學(xué)期：電路分析、電子技術(shù)等基礎(chǔ)課程;第三、四、五學(xué)期：集成電路制造技術(shù)、電子測(cè)量?jī)x器使用與維護(hù)、FPGA應(yīng)用開(kāi)發(fā)實(shí)用技術(shù)、微電子封裝與測(cè)試、 SMT技術(shù)、集成電路版圖設(shè)計(jì)等專(zhuān)業(yè)核心課程。
4.形成學(xué)習(xí)情境模式。學(xué)習(xí)情境是實(shí)施基于工作過(guò)程系統(tǒng)化的行動(dòng)導(dǎo)向課程的教學(xué)設(shè)計(jì)，由教師根據(jù)學(xué)校教學(xué)計(jì)劃，結(jié)合學(xué)校的教學(xué)設(shè)施條件、教師執(zhí)教能力和專(zhuān)長(zhǎng)，由教師按照“資訊、計(jì)劃、決策、實(shí)施、檢查、評(píng)估”的行動(dòng)方式來(lái)組織教學(xué)，從而促進(jìn)學(xué)生對(duì)職業(yè)實(shí)踐的整體性把握[4]。微電子技術(shù)專(zhuān)業(yè)核心課程形成的學(xué)習(xí)情境模式為：①集成電路版圖設(shè)計(jì)課程以任務(wù)為載體形成6個(gè)學(xué)習(xí)情境：N/PMOS晶體管版圖設(shè)計(jì)、反相器、與非門(mén)、或非門(mén)版圖設(shè)計(jì)、觸發(fā)器版圖設(shè)計(jì)、電壓取樣電路版圖設(shè)計(jì)、比較器版圖設(shè)計(jì)、DC-DC版圖設(shè)計(jì);②集成電路芯片制造技術(shù)課程以設(shè)備為載體形成8個(gè)學(xué)習(xí)情境：集成電路芯片制造技術(shù)工藝流程、硅晶圓制程、硅晶薄膜制備、氧化工藝、摻雜技術(shù)、光刻工藝、刻蝕工藝、集成電路芯片品檢;③微電子封裝與測(cè)試課程以工藝為載體形成4個(gè)學(xué)習(xí)情境：DIP封裝、BGA封裝、CSP封裝、MCM封裝;④表面貼裝工藝與實(shí)施課程以工藝流程為載體形成5個(gè)學(xué)習(xí)情境：SMT工藝流程的基本認(rèn)知、表面貼裝生產(chǎn)準(zhǔn)備、表面貼裝設(shè)備操作與編程、表面貼裝品質(zhì)控制、SMT生產(chǎn)線運(yùn)行及工藝優(yōu)化5個(gè)學(xué)習(xí)情境;⑤電子線路板實(shí)用技術(shù)課程以項(xiàng)目為載體形成3個(gè)學(xué)習(xí)情境：?jiǎn)蚊姘宓闹茍D與制板、簡(jiǎn)單雙面板的制圖與制板、復(fù)雜雙面板的制圖與制板;⑥電子測(cè)量?jī)x器使用與維護(hù)課程以電路設(shè)備為載體形成9個(gè)學(xué)習(xí)情境：收音機(jī)元件準(zhǔn)備、收音機(jī)電路測(cè)試、收音機(jī)電路工作狀態(tài)檢測(cè)、收音機(jī)整機(jī)調(diào)整、收音機(jī)裝調(diào)使用儀器的保養(yǎng)與維護(hù)、電視機(jī)元件檢測(cè)、電視機(jī)電路檢測(cè)、電視機(jī)的質(zhì)量檢查、電視機(jī)裝調(diào)使用儀器的保養(yǎng)與維護(hù);⑦C語(yǔ)言課程以項(xiàng)目為載體形成6個(gè)學(xué)習(xí)情境：編程的基本概念、C語(yǔ)言上機(jī)步驟C語(yǔ)言上機(jī)步驟、算法的概念、基本數(shù)據(jù)類(lèi)型、結(jié)構(gòu)化程序設(shè)計(jì)、函數(shù)的概念;⑧單片機(jī)技術(shù)及應(yīng)用課程以任務(wù)為載體形成6個(gè)學(xué)習(xí)情境：“跑馬燈”電路分析與實(shí)踐、單片機(jī)做算術(shù)、邏輯運(yùn)算并顯示、開(kāi)關(guān)信號(hào)狀態(tài)讀取與顯示電路的制作、交通信號(hào)燈電路的設(shè)計(jì)與制作、產(chǎn)品數(shù)量統(tǒng)計(jì)電路的設(shè)計(jì)與制作、兩臺(tái)單片機(jī)數(shù)據(jù)互傳;⑨FPGA應(yīng)用技術(shù)及實(shí)踐課程以項(xiàng)目為載體形成6個(gè)學(xué)習(xí)情境：課程概述、基于QuartusII的原理圖輸入設(shè)計(jì)、宏功能模塊應(yīng)用、基于 QuartusII軟件的VHDL文本輸入設(shè)計(jì)、VHDL設(shè)計(jì)、實(shí)用狀態(tài)機(jī)設(shè)計(jì)。
三、試點(diǎn)實(shí)施效果分析
在教學(xué)實(shí)施上，重點(diǎn)是加強(qiáng)教師執(zhí)教能力：教師在教學(xué)中的角色應(yīng)由主宰者轉(zhuǎn)化為引導(dǎo)者。教師應(yīng)該主動(dòng)地引導(dǎo)、疏導(dǎo)和指導(dǎo)學(xué)生，學(xué)生可以根據(jù)自己的興趣愛(ài)好，在教師的指導(dǎo)下，充分利用各種資源，相互協(xié)作開(kāi)展對(duì)某一問(wèn)題的學(xué)習(xí)探討，從而獲得新知識(shí)，得到探索的體驗(yàn)及情感，促進(jìn)能力全面發(fā)展。經(jīng)過(guò)我院近3年的教學(xué)實(shí)踐，課程教學(xué)效果得到顯著提高，學(xué)生專(zhuān)業(yè)核心能力、崗位適應(yīng)能力、社會(huì)能力顯著提高，“雙證書(shū)”提高到100%，專(zhuān)業(yè)對(duì)口率從原來(lái)的48%上升到92%，用人單位滿(mǎn)意度達(dá)90%以上。
高職院校在辦學(xué)過(guò)程中要形成特色鮮明的高職辦學(xué)模式，課程體系是重要的載體。辦學(xué)特色正是通過(guò)課程體系的實(shí)施來(lái)實(shí)現(xiàn)的?；诠ぷ鬟^(guò)程系統(tǒng)化的課程體系，跟隨產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，調(diào)整專(zhuān)業(yè)的課程設(shè)置，符合職業(yè)崗位要求，學(xué)生技能顯著提升，同時(shí)結(jié)合我院的辦學(xué)特色，努力探索基于工作過(guò)程的高職微電子技術(shù)專(zhuān)業(yè)課程體系的構(gòu)建思路和構(gòu)建策略。
第6篇：半導(dǎo)體工藝基礎(chǔ)知識(shí)范文
關(guān)鍵詞：二極管；二極管的發(fā)展；種類(lèi)；特性
1 二極管的發(fā)展史
1883年，偉大的科學(xué)家愛(ài)迪生（T.Edison）為尋找電燈泡最佳燈絲材料，曾做過(guò)一項(xiàng)小小的實(shí)驗(yàn)。他在真空電燈泡內(nèi)部碳絲附近安裝一小截銅絲（愛(ài)迪生最早發(fā)明的燈泡不是用鎢絲制成的，而是用碳化棉線），希望銅絲能阻止碳絲蒸發(fā)，實(shí)驗(yàn)結(jié)果非他所想，但他意外的發(fā)現(xiàn)，在銅絲上產(chǎn)生了微弱的電流，這種現(xiàn)象稱(chēng)之為“愛(ài)迪生效應(yīng)”。1884年，一位叫弗萊明的英國(guó)發(fā)明家，遠(yuǎn)涉重洋，拜會(huì)了他慕名已久的愛(ài)迪生，會(huì)見(jiàn)過(guò)程中愛(ài)迪生再次展示了愛(ài)迪生效應(yīng)。由于當(dāng)時(shí)技術(shù)條件的限制，不論是愛(ài)迪生，還是弗萊明，都對(duì)這一效應(yīng)百思不得其解，不知道利用這一效應(yīng)能做些什么。
直到1904年弗萊明通過(guò)大量實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)燈泡里的電子就能夠?qū)崿F(xiàn)單向流動(dòng)，這就是世界上的第一只電子管，弗萊明把它命名為二極管。但是真空二極管體積大，耗電多，而且性能不穩(wěn)定。1949年美國(guó)的物理學(xué)家肖克萊建立了PN結(jié)理論，為半導(dǎo)體器件奠定了科學(xué)基礎(chǔ)。此后隨著半導(dǎo)體材料和工藝技術(shù)的發(fā)展，半導(dǎo)體二極管也就問(wèn)世了。
2 二極管的基礎(chǔ)知識(shí)
二極管又稱(chēng)晶體二極管。它的內(nèi)部由一個(gè)PN結(jié)構(gòu)成，外部引出兩個(gè)電極，P區(qū)引出是正極，又叫陽(yáng)極，N區(qū)引出的是負(fù)極，又叫陰極，然后封裝在一個(gè)管殼內(nèi)（如圖1所示）。根據(jù)半導(dǎo)體的材料和摻雜濃度以及應(yīng)用場(chǎng)合不同，二極管的種類(lèi)也繁多。
如圖2所示二極管的圖形符號(hào)，其文字符號(hào)為V，箭頭方向?yàn)镻N結(jié)正向電流方向。二極管具有單向?qū)щ娞匦?，它在許多的電路中起著重要的作用，應(yīng)用非常廣泛。其中在各類(lèi)收音機(jī)中起檢波作用的是檢波二極管；在電路中將交流電轉(zhuǎn)換成直流電的是整流二極管；在顯示屏、廣告燈箱中的是發(fā)光二極管；用在各種邏輯電路中的是開(kāi)關(guān)二極管等多種二極管的類(lèi)型。
3 二極管的伏安特性
二極管的電壓、電流特性曲線是指加到二極管兩端的電壓和流過(guò)二極管的電流兩者之間的關(guān)系的曲線。硅二極管典型伏安特性曲線如圖3所示。
3.1 正向特性
將二極管的正極接在高電位端，負(fù)極接在低電位端，二極管就會(huì)導(dǎo)通，這種連接方式稱(chēng)為正向偏置。但外加正向電壓很小二極管存在“死區(qū)”仍不導(dǎo)通，導(dǎo)通前的電壓稱(chēng)為“死區(qū)電壓”（鍺管約為0.2V，硅管約為0.5V）。正向電壓大于“死區(qū)電壓”以后，二極管才能真正導(dǎo)通。此時(shí)，鍺管的正向壓降為0.3V，硅管為0.7V。
3.2 反向特性
將二極管的正極接在低電位端，負(fù)極接在高電位端，這種連接方式稱(chēng)為反向偏置。
3.2.1 反向截止區(qū)
當(dāng)二極管加反向電壓時(shí)，二極管中幾乎沒(méi)有電流流過(guò)，即使反向電壓增加，反向電流也基本不變，二極管處于截止?fàn)顟B(tài)。通常硅管的反向電流是幾微安到幾十微安，鍺管則可達(dá)到幾百微安。
3.2.2 反向擊穿區(qū)
當(dāng)加在二極管上的反向電壓超過(guò)某一數(shù)值時(shí)，反向電流會(huì)突然增大，這種現(xiàn)象稱(chēng)為反向擊穿。實(shí)際應(yīng)用中，普通二極管所加反向電壓不允許高于擊穿電壓，否則會(huì)因電流過(guò)大而損壞二極管，穩(wěn)壓二極管除外，它是工作在反向擊穿區(qū)的一類(lèi)特殊二極管，經(jīng)常在電路中起過(guò)壓保護(hù)的作用。
4 二極管的主要參數(shù)
4.1 最大整流電流IFM
是指二極管長(zhǎng)時(shí)間正常工作時(shí)，允許通過(guò)的最大正向平均電流。它的大小與二極管的構(gòu)造和散熱條件有關(guān)，實(shí)際工作中，流過(guò)二極管的實(shí)際電流應(yīng)小于IFM，否則二極管會(huì)因過(guò)熱而損壞。
4.2 最高反向工作電壓URM
指二極管兩端允許加的反向電壓的峰值。其值為反向擊穿電壓的一半。加在二極管兩端的反向電壓不可超過(guò)此值。
4.3 最高工作頻率fm
指保證二極管正常工作的最高頻率。一般小電流二極管的fm高達(dá)幾百兆歐，而大電流整流管的fm僅幾千赫茲。
5 二極管的識(shí)別
在電子線路的裝配過(guò)程中，為避免因元件接反或損壞造成電路出現(xiàn)異常，要對(duì)使用的二極管進(jìn)行極性的判別，并檢查質(zhì)量好壞。根據(jù)二極管的單向?qū)щ娦?，可選擇萬(wàn)用表的電阻檔對(duì)其進(jìn)行檢測(cè)。
5.1 二極管的好壞判斷
選用萬(wàn)用表的轉(zhuǎn)換開(kāi)關(guān)打到電阻檔（一般選用RX100或Rx1K檔位），對(duì)調(diào)紅黑表筆，分別測(cè)出二極管的正反向電阻，并記錄阻值，如表1：
5.2 二極管的正負(fù)極判斷
上述檢測(cè)中，如果二極管性能良好，則測(cè)量阻值小的一次，紅表筆所接為負(fù)極，黑表筆接的是二極管的正極。
第7篇：半導(dǎo)體工藝基礎(chǔ)知識(shí)范文
編者的話
(2)審慎 曾純
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第8篇：半導(dǎo)體工藝基礎(chǔ)知識(shí)范文
1、純凈的單晶半導(dǎo)體又稱(chēng)本征半導(dǎo)體，其內(nèi)部載流子自由電子空穴的數(shù)量相等的。
2、射極輸出器屬共集電極放大電路，由于其電壓放大位數(shù)約等于1，且輸出電壓與輸入電壓同相位，故又稱(chēng)為電壓跟隨器(射極跟隨器)。
3、理想差動(dòng)放大器其共模電壓放大倍數(shù)為0，其共模抑制比為∞。
4、一般情況下，在模擬電器中，晶體三極管工作在放大狀態(tài)，在數(shù)字電器中晶體三極管工作在飽和、截止?fàn)顟B(tài)。
5、限幅電路是一種波形整形電路，因它削去波形的部位不同分為上限幅、下限幅和雙向限幅電路。
6、主從JK觸發(fā)器的功能有保持、計(jì)數(shù)、置0、置1。
7、多級(jí)放大器的級(jí)間耦合有阻容耦合、直接耦合、變壓器耦合。
8、帶有放大環(huán)節(jié)串聯(lián)穩(wěn)壓電路由調(diào)整電路、基準(zhǔn)電路、取樣電路和比較放大電路分組成。
9、時(shí)序邏輯電路的特點(diǎn)是輸出狀態(tài)不僅取決于當(dāng)時(shí)輸入狀態(tài)，還與輸出端的原狀態(tài)有關(guān)。
10、當(dāng)PN結(jié)外加反向電壓時(shí)，空間電荷區(qū)將變寬。反向電流是由少數(shù)載流子形成的。
11、半導(dǎo)體具有熱敏性、光敏性、力敏性和摻雜性等獨(dú)特的導(dǎo)電特性。
12、利用二極管的單向?qū)щ娦?，可將交流電變成脈動(dòng)的直流電。
13、硅穩(wěn)壓管正常工作在反向擊穿區(qū)。在此區(qū)內(nèi)，當(dāng)流過(guò)硅穩(wěn)壓管的電流在較大范圍變化時(shí)，硅穩(wěn)壓管兩端的電壓基本不變。
14、電容濾波只適用于電壓較大，電流較小的情況，對(duì)半波整流電路來(lái)說(shuō)，電容濾波后，負(fù)載兩端的直流電壓為變壓級(jí)次級(jí)電壓的1倍，對(duì)全波整流電路而言較為1.2倍。
15、處于放大狀態(tài)的NPN管，三個(gè)電極上的電位的分布必須符合UC>UB>UE，而PNP管處于放大狀態(tài)時(shí)，三個(gè)電極上的電位分布須符合UE>UE>UC?？傊谷龢O管起放大作用的條件是：集電結(jié)反偏，發(fā)射結(jié)正偏。
16、
在P型半導(dǎo)體中，多數(shù)載流子是空穴，而N型半導(dǎo)體中，多數(shù)載流子是自由電子。
17、
二極管在反向截止區(qū)的反向電流基本保持不變。
18、
當(dāng)環(huán)境溫度升高時(shí)，二極管的反向電流將增大。
19、
晶體管放大器設(shè)置合適的靜態(tài)工作點(diǎn)，以保證放大信號(hào)時(shí)，三極管應(yīng)始終工作在放大區(qū)。
20、
一般來(lái)說(shuō)，硅晶體二極管的死區(qū)電壓大于鍺管的死區(qū)電壓。
21、
當(dāng)硅晶體二極管加上0.3V正向電壓時(shí)，該晶體二極管相當(dāng)于阻值很大的電阻。
22、
電子秤中使用的半導(dǎo)體器件是利用了半導(dǎo)體的力敏性。
23、
畫(huà)交流放大器的直流通路時(shí)，電容器做開(kāi)路處理;畫(huà)交流通路時(shí)，電源和電容器應(yīng)作短路處理。
24、
PN結(jié)正向偏置時(shí)導(dǎo)通，反向偏置時(shí)截止，這種特性稱(chēng)為PN結(jié)的單向?qū)щ娦浴?/p>
25、
工作在放大狀態(tài)中三極管可視為放大器件，工作在截止飽和狀態(tài)的三極管可視為開(kāi)關(guān)器件。
26、
差動(dòng)放大器只對(duì)差模信號(hào)有電壓放大作用，而對(duì)共模信號(hào)無(wú)電壓放大作用。射極輸出器的特點(diǎn)是電壓放大倍數(shù)略小于1，且接近于1。所以對(duì)信號(hào)源影響小，帶負(fù)載能力強(qiáng)。
27、
晶體三極管屬于電流控制器件，場(chǎng)效應(yīng)管屬于電壓控制器件。
28、
三極管屬于雙極型半導(dǎo)體器件，場(chǎng)效應(yīng)管屬于單極型半導(dǎo)體器件。
29、
理想運(yùn)放的兩個(gè)重要結(jié)論是：一、是運(yùn)放的兩個(gè)輸入端的電位相等。二、運(yùn)放的兩個(gè)輸入端的輸入電流相等，并且等于零。
30、
一個(gè)自激振蕩器只有滿(mǎn)足相位平衡條件和振幅平衡條件才能產(chǎn)生振蕩。
31、
計(jì)數(shù)器可分為同步計(jì)數(shù)器和異步計(jì)數(shù)器，兩者中速度較快的是同步計(jì)數(shù)器。
32、
觸發(fā)器為時(shí)序邏輯電路基本單元，門(mén)電路為組合邏輯電路基本單元。兩種電路主要區(qū)別在前者具有記憶功能，而后者不具有。
33、
二極管兩端加上正向電壓時(shí)超過(guò)死區(qū)電壓才能導(dǎo)通。
34、
為調(diào)整放大器的靜態(tài)工作點(diǎn)，使之上移，應(yīng)該使Rb電阻值減少。
35、
一個(gè)觸發(fā)器可以存放1位二進(jìn)制數(shù)。
36、
放大電路中三極管的組合方式有三種，它們是共集電極、共基極、共發(fā)射極。
37、
NPN型晶體三極管的發(fā)射區(qū)是N型半導(dǎo)體，集電區(qū)是N型半導(dǎo)體，基區(qū)是P型半導(dǎo)體。
38、
一般情況下，晶體三極管的電流放大系數(shù)隨溫度的增加而增加，發(fā)射結(jié)的導(dǎo)通壓降Vbe則隨溫度的增加而減小。
39、
具有記錄輸入脈沖個(gè)數(shù)的電路稱(chēng)為計(jì)數(shù)器，它的主要組成部分是觸發(fā)器，是時(shí)序電路。
40、
晶體管構(gòu)成的三種放大電路中，沒(méi)有電壓放大作用但有電流放大作用的是：共集電極接法(射極輸出器)。
41、
串聯(lián)型穩(wěn)壓電路中的調(diào)整管工作在放大區(qū)。
42、
一個(gè)十進(jìn)制計(jì)器至少需要四個(gè)觸發(fā)器構(gòu)成
43、
利用電阻R和電容C可以將脈沖波變換變?yōu)槿遣ê图忭敳ā?/p>
44、
三極管的開(kāi)關(guān)特性指的是在基極輸入信號(hào)作用下，三極管具有的兩個(gè)明顯相反的狀態(tài)即飽和和截止。
45、
衡量運(yùn)算放大電路抑制零漂能力的指針為：運(yùn)模抑制比，對(duì)于運(yùn)算放大器該參數(shù)等于∞。
46、
負(fù)反饋電路可分為電流串聯(lián)負(fù)反饋、電流并聯(lián)負(fù)反饋、電壓串聯(lián)負(fù)反饋、電壓并聯(lián)負(fù)反饋。
47、
將模擬信號(hào)轉(zhuǎn)換到數(shù)字信號(hào)的過(guò)程稱(chēng)為A/D，將數(shù)字信號(hào)轉(zhuǎn)換成為模擬信號(hào)的過(guò)程稱(chēng)為D/A。
48、
集成觸
發(fā)器按功能可分為RS觸發(fā)器、D觸發(fā)器、JK觸發(fā)器和T觸發(fā)器。
49、
射極輸出器是一種電壓串聯(lián)負(fù)反饋放大器。
50、
半導(dǎo)體材料的電阻率受外界條件(溫度、光線等)的影響很大，溫度升高或受光照射均可使電阻率減小。
51、
PN結(jié)是晶體二極管的基本結(jié)構(gòu)，也是一般半導(dǎo)體器件的核心。
52、
射極輸出器沒(méi)有電壓放大能力，由于其輸出電阻小，所以有較強(qiáng)的帶負(fù)載能力。
53、
振蕩器是一個(gè)具有選頻網(wǎng)絡(luò)的正反饋放大器。
54、
差動(dòng)放大器的放大的信號(hào)有兩種，即共模信號(hào)和差模信號(hào)，我們總是希望差模放大倍數(shù)大一些，而共模放大倍數(shù)小一些。
55、
晶體三極管可作為開(kāi)關(guān)作用，當(dāng)三極管集電極發(fā)射極產(chǎn)相當(dāng)于開(kāi)頭閉合時(shí)，晶體三極管應(yīng)工作在飽和狀態(tài)。
56、
RC微分電路能把矩形波變換成尖脈沖波。其輸出電壓取自電阻兩端。
RC積分電路能把矩形波變換成鋸齒波。其輸出電壓取自電容兩端。
57、
經(jīng)過(guò)嚴(yán)格提純的半導(dǎo)體，可認(rèn)為是本征半導(dǎo)體，半導(dǎo)體產(chǎn)生電子空穴對(duì)的過(guò)程叫本征激發(fā)，在室溫下，其電子和空穴對(duì)的平衡濃度很小。
58、
點(diǎn)接觸型二極管適用于檢波，面接觸型適用于整流。
59、
觸發(fā)器電路中，Sd端、Rd端可根據(jù)需要預(yù)先將觸發(fā)器置1或置0，而不受CP端的同步控制。
60、
所謂PN結(jié)正向偏置，是將電源的正極與P區(qū)相接，負(fù)區(qū)與N區(qū)相接。在正向偏置電壓大于死區(qū)電壓的條件下，PN結(jié)將導(dǎo)通。
61、
差動(dòng)放大電路的輸入信號(hào)中，差模信號(hào)是有用的信號(hào)，共模信號(hào)則是要**抑制的干擾信號(hào)。
62、
負(fù)反饋對(duì)放大電路有下列影響：使增益放大倍數(shù)減小;使通頻帶變寬;提高電路穩(wěn)定性等。
63、
理想運(yùn)算放大器的輸入電阻Ri=∞;Ro=0;
64、
利用電阻R和電容C可以將脈沖波形變換為三角波和尖頂波。
65、
數(shù)字集成門(mén)電路按照制作工藝可分為T(mén)TL和CMOS。
66、
集成觸發(fā)器按功能可分：RS觸發(fā)器，JK觸發(fā)器，D觸發(fā)器和T觸發(fā)器。
67、
十進(jìn)制編碼簡(jiǎn)稱(chēng)：BCD碼，此類(lèi)編碼中常見(jiàn)的有8421碼。
68、
數(shù)字電路中，三極管一般工作于飽和和截止?fàn)顟B(tài)。
69、
基本邏輯門(mén)電路有：與門(mén)、非門(mén)和或門(mén)。
70、
如果輸入與輸出關(guān)系是：有0出1，全1出0。這是與非門(mén)邏輯運(yùn)算。
71、
編碼器與譯碼器邏輯功能相反，它是將有特定意義的輸入數(shù)字信號(hào)或文字符號(hào)編成相應(yīng)在的若干位二進(jìn)制的組合邏輯電路。
72、
由于觸發(fā)器具有兩分穩(wěn)定狀態(tài)，它可記錄1位二進(jìn)制代碼。
73、
主從觸發(fā)器是一種能防止空翻現(xiàn)象的實(shí)用觸發(fā)器。
74、
組合邏輯電路：編碼器、譯碼器、數(shù)據(jù)選擇器、奇偶校驗(yàn)器、資料比較器及加法器。
75、
時(shí)序邏輯電路：各類(lèi)觸發(fā)器、寄存器、加法器、計(jì)數(shù)器。
76、
阻容耦合二極共射電壓放大器的輸出電壓與輸入電壓的相位關(guān)系是：同相。
77、
正弦波振蕩器的振蕩頻率F取決于反饋網(wǎng)絡(luò)組件的參數(shù)。
78、
并聯(lián)型穩(wěn)壓電路中，電阻R的作用：既有限流作用，又有調(diào)壓作用。
79、
在給PN結(jié)加反向電壓時(shí)：有利于漂移運(yùn)動(dòng)，不利于擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)。
80、
穿透電流大小是衡量三極管放大能力的重要指針。
81、
共射極基本放大電路的組成原則是：使發(fā)射結(jié)正向偏置，集電結(jié)反向偏置。
82、
射極輸出器的輸出電阻小，因此該電路帶負(fù)載能力強(qiáng)。
83、
典型運(yùn)放是由三個(gè)基本電路組成：一個(gè)入高輸入阻抗的差動(dòng)放大器，一個(gè)高增益的電值放大器及一個(gè)低阻抗的輸出放大器。
84、
在整流電路和穩(wěn)壓電路中均用到了二極管，依次是利用了二極管的單向?qū)щ?，反向擊穿?/p>
85、
RC正弦波振蕩器的起振條件是AF>1。
86、
移位操作只能出現(xiàn)在寄存器中。
87、
當(dāng)晶體三極管兩個(gè)PN結(jié)反偏時(shí)，則晶體三極管的集成極電流將中斷。
88、
在放大交流信號(hào)的多極放大器中，放大極之間主要采用阻容耦合和變壓器耦合。
89、
不能描述放大電路頻率特性的曲線圖是：伏安特**。
90、
異或門(mén)電路可以實(shí)現(xiàn)不帶進(jìn)位的二進(jìn)制加法。
91、
NPN寶藍(lán)者害飽和狀態(tài)時(shí)的特點(diǎn)是：Uces=0。
92、
直流放大器的功能是：直流信號(hào)和交流信號(hào)都能放大。
93、
差動(dòng)放大器抑制零點(diǎn)漂移的效果取決于：兩個(gè)三極管的對(duì)稱(chēng)程度。
94、
晶體二極管內(nèi)阻不是常數(shù)。
95、
直流穩(wěn)壓電源中的電路先后順序應(yīng)是：整流、濾波再穩(wěn)壓。
96、
二十進(jìn)制編碼器，若有四個(gè)輸出端，可進(jìn)行編碼的個(gè)數(shù)是10個(gè)。
97、
在晶體管放大電路中引入負(fù)反后，其電壓放大倍數(shù)Au將減小。
98、
當(dāng)晶體二極管的PN結(jié)導(dǎo)通后，參加導(dǎo)電的是電子和空穴。
99、
差動(dòng)放大器抑制零點(diǎn)漂移的效果取決于兩個(gè)三極管的對(duì)稱(chēng)度。
100、
電容三點(diǎn)式LC振動(dòng)器與電感三點(diǎn)式LC正弦波振蕩器比較，前者主要優(yōu)點(diǎn)是：輸出波形好。
101、
奇偶校驗(yàn)的作用：對(duì)網(wǎng)絡(luò)傳送資料中的錯(cuò)誤進(jìn)行檢查。
102、
半導(dǎo)體數(shù)碼管用于七段譯碼器。
103、
T觸發(fā)器是市場(chǎng)中買(mǎi)不到但可以由其它觸發(fā)器代替的。
104、
將兩個(gè)二極管連接在一起，不能構(gòu)成任何類(lèi)型三極管。
105、
射極輸出器的電壓增益為0分貝。
第9篇：半導(dǎo)體工藝基礎(chǔ)知識(shí)范文
關(guān)鍵詞：微納制造;教學(xué)方法;虛擬科研;虛擬實(shí)驗(yàn)
中圖分類(lèi)號(hào)：G642.0 文獻(xiàn)標(biāo)志碼：A 文章編號(hào)：1674-9324（2015）44-0090-02
一、微納米制造技術(shù)課程的背景及特點(diǎn)
微納米科學(xué)與技術(shù)已成為一種戰(zhàn)略性的、占主導(dǎo)地位的技術(shù)，被中國(guó)機(jī)械工程協(xié)會(huì)列為影響我國(guó)制造業(yè)發(fā)展的問(wèn)題之一。微納米制造技術(shù)通過(guò)在微納米尺度范圍內(nèi)對(duì)物質(zhì)的集成與控制，創(chuàng)造并使用新的材料和裝置，以實(shí)現(xiàn)不同功能的機(jī)電或機(jī)光電一體化智能系統(tǒng)，涉及電子、機(jī)械、光學(xué)、物理、化學(xué)、材料、制造、生物、信息等多種學(xué)科，是制造技術(shù)的融合交叉新領(lǐng)域。教育部已經(jīng)將微機(jī)電工程列為機(jī)械工程一級(jí)學(xué)科的五個(gè)二級(jí)學(xué)科之一，相當(dāng)多的高校陸續(xù)開(kāi)設(shè)了相關(guān)課程。《微納米制造技術(shù)及理論》作為微機(jī)電工程研究的入門(mén)課，提高其課堂教學(xué)的質(zhì)量，逐步開(kāi)展實(shí)驗(yàn)教學(xué)是非常有必要的。我們?cè)诰坊虒W(xué)內(nèi)容的基礎(chǔ)上，在教學(xué)實(shí)踐中探索了微納米制造技術(shù)及理論課程的虛擬實(shí)驗(yàn)與模擬科研教學(xué)法，并取得了較好的課堂效果。
二、精品化課程內(nèi)容
《微納米制造技術(shù)及理論》作為一門(mén)導(dǎo)論類(lèi)課程，內(nèi)容涵蓋了微機(jī)械加工、半導(dǎo)體加工、納米制造和生物制造等種類(lèi)繁多的微納米加工方法，且各制造方法的相關(guān)性不強(qiáng)，給教學(xué)帶來(lái)了極大的挑戰(zhàn)。結(jié)合本校特點(diǎn)，我們編排的課程內(nèi)容從分子操作到納米加工、從生物制造到仿生制造、從微細(xì)機(jī)械加工到微細(xì)特種加工、從集成電路工藝（IC工藝）到MEMS（微電子機(jī)械系統(tǒng)）構(gòu)成了結(jié)構(gòu)對(duì)稱(chēng)的多學(xué)科制造技術(shù)。在體系編排上從納尺度制造到微尺度制造、從低維低復(fù)雜度制造到高維高復(fù)雜度制造、從探索前沿到實(shí)用產(chǎn)業(yè)構(gòu)成了循序漸進(jìn)的知識(shí)體系?？傮w內(nèi)容涵蓋了機(jī)械、材料、電子等工程學(xué)科知識(shí)及物理、化學(xué)、生物等基礎(chǔ)學(xué)科的理論，培養(yǎng)了學(xué)科交叉創(chuàng)新的意識(shí)。
教學(xué)內(nèi)容組織首先強(qiáng)調(diào)“由理及表”，即從原理到應(yīng)用、從理論到實(shí)際，同時(shí)強(qiáng)調(diào)內(nèi)容來(lái)源的“鮮活性”，即緊密跟蹤國(guó)際前沿最新科學(xué)研究成果，緊跟國(guó)家戰(zhàn)略需求，最終使學(xué)生達(dá)到微納米制造技術(shù)基礎(chǔ)理論學(xué)習(xí)和工程應(yīng)用等綜合能力的培養(yǎng)。
三、探索虛擬科研情景教學(xué)法
（一）虛擬科研情景教學(xué)
技術(shù)發(fā)展有不以人的意志為轉(zhuǎn)移的內(nèi)在驅(qū)動(dòng)力，在講解某項(xiàng)微納制造技術(shù)時(shí)，可以通過(guò)講解該技術(shù)發(fā)明前的客觀需求、相關(guān)技術(shù)和理論發(fā)展水平來(lái)引領(lǐng)學(xué)生的思維，使學(xué)生站在研究者的角度去思考如何創(chuàng)造一種“新”的微納加工方法來(lái)解決面臨的“歷史”問(wèn)題，從而引出具有內(nèi)在邏輯必然性的該項(xiàng)微細(xì)加工技術(shù)。例如在講解深硅等離子刻蝕技術(shù)時(shí)，我們首先講解加速度傳感器的歷史現(xiàn)狀，為提高其靈敏度，亟需高深寬比微納結(jié)構(gòu)的加工方法，而當(dāng)時(shí)的硅化學(xué)刻蝕方法，無(wú)法實(shí)現(xiàn)高深寬比的微納加工;等離子加工技術(shù)和理論已在集成電路加工中獲得應(yīng)用，如何開(kāi)展基于等離子刻蝕技術(shù)的高深寬比硅加工成為當(dāng)時(shí)的熱門(mén)研究課題。學(xué)生從科學(xué)探索的角度和教師一起從化學(xué)原理的角度分析基于“SF6+O2”的加工方法，逐漸引出在通用的BOSCH深硅加工工藝。這種基于虛擬科研情景再現(xiàn)的授課方式，不但提高了學(xué)生的注意力，還使學(xué)生從一個(gè)研究者的角度去思考問(wèn)題，輕松掌握了該微納米制造技術(shù)的用途、原理和特點(diǎn)。
（二）多媒體輔助虛擬實(shí)驗(yàn)教學(xué)
微納米制造技術(shù)及理論課程知識(shí)涵蓋面廣、信息量大，而教學(xué)時(shí)間僅有32個(gè)學(xué)時(shí)，如何提高課堂效率成為一個(gè)重要問(wèn)題。除了突出重點(diǎn)，在微納尺度效應(yīng)、微機(jī)械切削原理、體微硅制造、表面微加工等方面深入講解外，在裝備原理、工藝過(guò)程等方面通過(guò)多媒體等手段增加形象認(rèn)識(shí)是非常有必要的。例如，光刻過(guò)程包含清洗、烘干、涂膠、前烘、對(duì)準(zhǔn)、曝光、后烘、顯影、顯影檢查、顯影硬烘等多步工藝，我們?cè)谘芯可n的講解中采用了傳統(tǒng)的講授方法，由于多數(shù)學(xué)生對(duì)相關(guān)工藝過(guò)程不了解，既不容易抓住重點(diǎn)，也不容易提起興趣。而在留學(xué)生課的教學(xué)中，在給學(xué)生講授了光刻的基本原理的基礎(chǔ)上，我們采用了播放光刻過(guò)程實(shí)景錄像，穿插關(guān)鍵點(diǎn)講解的教學(xué)方式，這樣既提高了課堂效率，又吸引了學(xué)生的興趣，加深了理解的形象化程度。
（三）虛擬科研的考核方式
在《微納米制造技術(shù)及理論》的課程考核中，過(guò)去我們多依賴(lài)閉卷考試的方式，閉卷考試能考察學(xué)生對(duì)基礎(chǔ)理論的掌握，督促學(xué)生在課后進(jìn)行重點(diǎn)內(nèi)容的復(fù)習(xí)和掌握。而在本輪的改革嘗試中，我們?cè)黾恿艘髮W(xué)生寫(xiě)一個(gè)課程總結(jié)的考核方式。這份課程總結(jié)不是對(duì)本課程主要內(nèi)容的綜述，而是針對(duì)某一項(xiàng)微納米制造技術(shù)的現(xiàn)狀綜述，并給出一個(gè)利用該種加工工藝制作某種新型微結(jié)構(gòu)或微器件的創(chuàng)新性提案。雖然多數(shù)學(xué)生的提案可行性不大，但至少達(dá)到了使學(xué)生站在一個(gè)科研工作者的角度去了解并利用微納米制造技術(shù)的教學(xué)目的。
（四）微納米制造課的實(shí)驗(yàn)教學(xué)
通過(guò)虛擬科研實(shí)驗(yàn)的教學(xué)方式，雖然能在一定程度上增加學(xué)生的直觀認(rèn)識(shí)，但給人最深刻的認(rèn)識(shí)一般還是從實(shí)踐中獲得的。《微納米制造技術(shù)及理論》作為一門(mén)實(shí)踐性很強(qiáng)的課，實(shí)驗(yàn)教學(xué)是一項(xiàng)重要的教學(xué)環(huán)節(jié)。但本校尚未設(shè)立微機(jī)電系統(tǒng)工程專(zhuān)業(yè)，也沒(méi)有相關(guān)教學(xué)實(shí)驗(yàn)中心，因此開(kāi)展實(shí)驗(yàn)教學(xué)難度很大。為此，本教學(xué)團(tuán)隊(duì)克服困難，采取特定時(shí)間開(kāi)放科研環(huán)境，與教學(xué)并用的方案，安排了三堂精彩的實(shí)驗(yàn)課教學(xué)。首先為使學(xué)生對(duì)微納米制造以直觀的認(rèn)識(shí)，我們?cè)趯?shí)驗(yàn)室展示了基于仿生制造技術(shù)的功能表面、基于生物制造技術(shù)的功能顆粒、基于微機(jī)電系統(tǒng)技術(shù)的微傳感器等成果，并給學(xué)生展示了相關(guān)的實(shí)驗(yàn)環(huán)境、加工設(shè)備及原理。為進(jìn)一步加深學(xué)生的認(rèn)識(shí)，我們分組進(jìn)行了光刻工藝試驗(yàn)和濺射工藝試驗(yàn)，使學(xué)生體驗(yàn)并認(rèn)識(shí)到加工過(guò)程中的難點(diǎn)和技巧，給學(xué)生留下了深刻的印象，加深了對(duì)課堂知識(shí)的認(rèn)識(shí)。此外，通過(guò)與半導(dǎo)體加工條件較好的科研單位合作，以創(chuàng)造更優(yōu)良的教學(xué)參觀環(huán)境，相信能使學(xué)生獲得更深刻的認(rèn)識(shí)，促進(jìn)微納米制造工程實(shí)踐能力的培養(yǎng)。
四、結(jié)語(yǔ)
微納米制造技術(shù)發(fā)展迅速，制造學(xué)科高年級(jí)本科生或研究生具有掌握微納米制造的基礎(chǔ)知識(shí)，了解其最新的發(fā)展動(dòng)態(tài)及技術(shù)現(xiàn)狀的強(qiáng)烈需求。要在有限的課堂時(shí)間內(nèi)把豐富的微納制造相關(guān)內(nèi)容講授給知識(shí)背景和研究方向各不相同的學(xué)生具有極大的挑戰(zhàn)性。我們從精品化教學(xué)內(nèi)容以增強(qiáng)內(nèi)容間的邏輯性、開(kāi)展虛擬科研實(shí)驗(yàn)教學(xué)實(shí)現(xiàn)教學(xué)與科研的融合、改善實(shí)驗(yàn)條件加深學(xué)生感性認(rèn)識(shí)等三個(gè)方面做了初步探索，并取得了一定成效，力爭(zhēng)為微納米制造領(lǐng)域的教學(xué)改革和學(xué)生培養(yǎng)做出貢獻(xiàn)。
參考文獻(xiàn)：
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